上次买了一批Y500CNC250高速可控硅，想代替汞ignitron开关，不幸全军覆没，烧得渣都不剩，遂请教专业选手，才知道原来不需要这么高贵的特种可控硅，慢速可控硅没有奇葩形状的触发电极一样能够实现极高（接近兆安/us）的导通速率，不过需要用比较复杂的短脉冲触发电路，一般取2-3倍可控硅正向耐压，有时为了弥补分布电感甚至更高，的窄快速上升脉冲，将scr整个表面全部同时用impact ionization方式导通，从而实现极高的di/dt损伤阈值。这个触发脉冲通常采用更快的黄豆大solitron固态开关实现，成本较低。
参考文献比较模棱两可，没有什么实践内容，需要读者自行实验。
关键词是impact ionization
目前小功率领域纯粹为了获得一个非常快的导通速度，可以让普通的双极性晶体管工作在雪崩区，通常可以很容易实现亚纳秒级别的导通时间；如果对功率有比较高的要求，低成本的方案也可以使用普通的火花间隙，但要想让火...
做的可控硅开关，不过是驱动一个更大的水线开关，用于单圈线圈产生磁场观察一些物理过程而已。什么军工，什么领域的东西我也没有兴趣和渠道接触。
这个技术距离你说的那些高逼格应用还很远，就连普通民用场景都非常常见，比如蔬菜水果的脉冲等离子消毒，就需要上百千伏的极快上升沿固态开关。上世纪30年代发明ignitron的时候就已经达到我描述的上升速度和正反向电流载荷了。要是能有这么好效果，早就做成便携装置闷声发大财了。
想要世界先进水平的快延emp发生器，只需买一个几焦耳的商品飞秒激光，早在若干年前就有国产方案了，也不是什么先进东西。用这种激光真空里聚焦打在东西上，电子忽然飞走，造成巨大的平衡电流即可产生频域特征极好的emp。事实上手机是非常耐emp的，尤其是近年的iphone，比三年前的三星要抗造许多，并没有发现越来越不抗干扰的趋势。
