感谢上次与habenren朋友的争论,让俺对GDT传输的本质有了进一步的认识
现在做出的驱动板,驱动2MBI150-050 50A500V的MOS半桥模块 已经达到逆天的
上升时间 87.5nS,下降时间100nS,驱动CM150的上升为130nS,下降为140nS。
同样也做到了+15 -8的理想驱动电平。再次感谢hanbren网友。
现在做出的驱动板,驱动2MBI150-050 50A500V的MOS半桥模块 已经达到逆天的
上升时间 87.5nS,下降时间100nS,驱动CM150的上升为130nS,下降为140nS。
同样也做到了+15 -8的理想驱动电平。再次感谢hanbren网友。