电磁枪发射驱动电路计划书
阿丕2006/12/03电磁炮 IP:江苏

考虑到目前装置实验的具体表现,确认已经完成了稳定性能测试方面本年度的工作.后续的工作如下:

1.采用PROTEL设计的电路板(全工艺集成电路)来完成绝大部分的控制,充电和发射

2.含三级加速驱动,全部独立

3.包含枪体部分等部件的设计加工

4.重新设计制作发射线圈,保证400V-250V范围的对应匝数

5.增加轭铁部分的制作

威力评估:计算威力(单线圈)为目前单线圈方案的6*2=18倍

三级加速后速度待评估.

驱动IGBT数量:3

控制单片机[s:7]IC16F84A

充电电路:BOOST

(因以上原因,短期内将不会有具体实验)

来自:物理高能技术 / 电磁炮
6
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~~空空如也
arou
17年8个月前 IP:未同步
14777

建议:

既然用单片机了,boost电路就可省略,单片机来控制开关管升压肯定要比555要可靠,关键是灵活,可以自由调整占空比和频率!

结构设计我不懂,对咱来说太难了点。

关于线圈所用参数,线径、长短、电气参数、所用电压与选择开关器件关系密切,个人感觉igbt的耐受力差了点。007的scr方案对改进可靠性方面有好处!

仅仅单片机控制可能对准确控制关断时间有影响,因为不能保证子弹每一次的速度都一样。

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阿丕作者
17年8个月前 IP:未同步
14778

1.为了获得更大的灵活性,独立的工作电路是必要的,PIC单片机不同于51,尺寸选择范围广

2.SCR是以大能量损失来获得效果,电容选择有局限性.IGBT耐受力不错,特别是正确使用的条件下,可以用皮实来形容.(我的电流经常超上限)

3.引用过去帖子,作者HK007"


采用单片机控制固定通电时间,除非每次的弹头质量完全一样,与枪管的摩擦情况完全一样,枪的姿态(仰俯)完全一样,否则每次子弹通过线圈中点的时刻是不会完全一样的。



我以前也有上面的疑问,不过后来想通了,首先,实验时弹头质量肯定要用一样的,即使要临时改变弹头质量,也会重新计算时间改变程序,重新写入单片机,摩擦情况应该变化不会很大,应为这一点动摩擦力与巨大电的磁力相比很小,所以这些影响不会很大,这里主要考虑的到应该是电子元件造成的延时问题,前面的实验说过弹丸加速时间只有1000us左右,时间很短,单片机可以对时间进行us级精确控制,如果用光偶做中间隔离,也有几us的延迟,现在用IGBT开通关断时间可以忽略,以前用的SCR开通有几us的延迟,关断有几百us的延迟,这些效应叠加起来,就很可观了,如果用光电元件,又会引入新的时间延迟,对精确控制不利,而且只用单片机比较容易控制多级加速,对时间延迟只需要在程序中事先设置提前量即可,不行可以方便修改程序,这样比用模拟控制方便的多.

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方旭
14年9个月前 IP:未同步
160540
哈哈哈,强大的计划!真不是一个人能快速完成的,也是我的计划,哈哈哈。。。。 [s:252]
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鬼脚门神
11年3个月前 IP:未同步
508161
回 2楼(阿丕) 的帖子
各位高人啊,我就是用的两个680uf的电容,先用市电整流后电压高达280v,结果发射的时候电流太大,把可控硅给烧坏了,所以每次只能发射一次,第二次由于可控硅内部烧坏就相当于导线了,一充电就会炸。到底选什么型号的可控硅才合适啊。IGBT更皮实,具体什么型号的比较好呢,我用的是cr25am。
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yurifreeman
11年3个月前 IP:未同步
508304
回 4楼(鬼脚门神) 的帖子
先生您挖坟了吧..........[s:275]
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阿丕
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