上面那个是 可控硅模块 笔误写成了IGBT 还有呢 之所以做了这么久 还有个原因 就是我太懒了............[s:243]
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新制线圈炮。二级研制中
电容450V2000UF(一个是1000UF） 线圈长4CM 6层 线径1.0 每层中间放置一层电机绝缘纸（不是为了绝缘 是为了让线圈整齐） 发射管 碳素笔 大容量笔芯 内径6MM 子弹长4CM 直径5.5MM 目前能穿一层露露 第二层 能打个小洞洞 过不去 （主要是没关断 明天去买材料）[s:252]
二级正在开发 设计已经有了 暂时保密 只能透露不同于论坛以往的设计[s:243] 其实2月以前就开始做了 只是由于充电问题耽误了很久 现在用的BOOST 2个并联 3个并联 不知道为什么老是出现电压无限大的情况 （正在解决中） ZVS充电也试验过 由于ZVS 的设计特点不能短接 短接就停震 所以ZVS 现在只能冲1个电容 时间是3秒 BOOST并联 现在冲满时间是12秒 （我的理想值是2秒 任重道远啊） 先把二级做完 然后做个494双IGBT逆变器 看看效果 好了上图
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电容 摄像头拍的 比较垃圾对付看把[s:94]
![131_790c12934328798863f84ebd68f7f.jpg]()
充电电路 边上那根线 就是没接第3个
![131_3e6e1293432940c570752ae9fce3a.jpg]()
![131_7f1712934329751dba17b554554c0.jpg]()
![131_80691293433009fc655ea148375cb.jpg]()
可控硅模块 体积相当小 4CM X1.8CM 3个BTW69-1000并联的
![131_67741293433086289dda8bb72e15e.jpg]()
线圈 由于用了绕变压器的方法所以线圈绕的相当工整 表示没有用胶水
![131_53cc1293433204ff8a77288264eb7.jpg]()
饿还是可控硅 ........
![131_fd4a12934334458db31b507b28edf.jpg]()
线圈挡板是用 覆铜板做的 支撑架是买的现成的4CM的6角铜柱很便宜4毛一根![]()
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二级正在开发 设计已经有了 暂时保密 只能透露不同于论坛以往的设计[s:243] 其实2月以前就开始做了 只是由于充电问题耽误了很久 现在用的BOOST 2个并联 3个并联 不知道为什么老是出现电压无限大的情况 （正在解决中） ZVS充电也试验过 由于ZVS 的设计特点不能短接 短接就停震 所以ZVS 现在只能冲1个电容 时间是3秒 BOOST并联 现在冲满时间是12秒 （我的理想值是2秒 任重道远啊） 先把二级做完 然后做个494双IGBT逆变器 看看效果 好了上图
电容 摄像头拍的 比较垃圾对付看把[s:94] 
充电电路 边上那根线 就是没接第3个 
可控硅模块 体积相当小 4CM X1.8CM 3个BTW69-1000并联的
线圈 由于用了绕变压器的方法所以线圈绕的相当工整 表示没有用胶水
饿还是可控硅 ........
线圈挡板是用 覆铜板做的 支撑架是买的现成的4CM的6角铜柱很便宜4毛一根
工艺不错，期待“不同于论坛以往的设计”[s:125]
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吼吼 版主大人 就你一个顶的啊 [s:254]
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zvs我用的很好呀，8个1000微法的电容两串四并，冲到600V只用几秒，怎么会停震？
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变压器次级串个电容限流即可
引用楼主4341261于2010-12-27 15:07发表的
ZVS充电也试验过 由于ZVS 的设计特点不能短接 短接就停震
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不会停震吧，我没加限流，
高压包里内置了电阻
高压包里内置了电阻
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难得看到一个能把设计做的这么仔细的，很期待你的成果展现
楼上的，人家ZVS用的又不是高压包，而且高压包内有电阻么。自绕/买来的高频变可以用电容限流，注意电容耐压，输出交流要整流。
BOOST并联好像是会有电压高这个问题，怎么说我一下子想不起来，解决的方法貌似是BOOST并联要分开三路滤波后再并……很久没弄这个了我也忘了，大致就这么回事。
楼上的，人家ZVS用的又不是高压包，而且高压包内有电阻么。自绕/买来的高频变可以用电容限流，注意电容耐压，输出交流要整流。
BOOST并联好像是会有电压高这个问题，怎么说我一下子想不起来，解决的方法貌似是BOOST并联要分开三路滤波后再并……很久没弄这个了我也忘了，大致就这么回事。
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回 8楼(ビリビリ女) 的帖子
表示 你那个头像很早就想问你了 是啥动画片里德[s:94]
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我自己绕的次级，让他输出的900V，没有限流，短路时貌似对他没影响，
我说高压包里有电阻的原因是说明高压包用电阻限流了，您看拆解高压包的帖子，确实有电阻
https://www.kechuang.org/t/30897
我说高压包里有电阻的原因是说明高压包用电阻限流了，您看拆解高压包的帖子，确实有电阻
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但是我自己绕的高压包，次级不短路是拉不出弧的，如果短路就停振，要这东西有何用？
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第二级绕好 [s:92] 不过中途出了点状况 由于设计原因 不能先固定骨架在绕 所以我在发射管中间用了一个长螺栓 固定挡板 绕好后在拆下 上骨架 可是我就忘记在螺栓上加了个防护管 结果把我发射管内的一个秘密部件弄变形了[s:261] 没办法 只好拆了修复[s:94]
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引用第10楼123123123于2010-12-28 19:31发表的 :
我自己绕的次级，让他输出的900V，没有限流，短路时貌似对他没影响，
我说高压包里有电阻的原因是说明高压包用电阻限流了，您看拆解高压包的帖子，确实有电阻
https://www.kechuang.org/t/30897
那个高压包比较特殊的。有点像电焊机高压包，一般电视的高压包貌似都没电阻。
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我猜楼主是想用弹簧片加上弹做开关。简单来说这种做法不能达到高效率，但是可以做到更高的速度，相应的长度也会比较长。
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回 16楼(狩猎者) 的帖子
表示 子弹是开关 但是不是纯粹的机械开关 所以效率毫无影响 已经测试过了 内部的铜刷链接的是可控硅 这样即有了可控硅的通断能力 又有了机械开关的触发准确度
另外关断 的一些问题已经解决 （常见关断 存在二次触发现象 主要由于触发电源是横流电源 所以我的设计是 用一个2.5V 20UF的电容触发可控硅 触发后由于电容内能量耗尽 所以当光耦触发关断电路以后 电容无法再次触发可控硅所以不存在二次启动问题 在扳机处是2级模式开关 扳机闭合状态 触发级电源与触发电容并联（给触发电容充电） 扣动扳机 电源与电容断开 当扳机到达发射位置时 电容放电 触发可控硅 光耦同时启动 关断主电容 二级也是如此 依次类推 [s:243]
另外关断 的一些问题已经解决 （常见关断 存在二次触发现象 主要由于触发电源是横流电源 所以我的设计是 用一个2.5V 20UF的电容触发可控硅 触发后由于电容内能量耗尽 所以当光耦触发关断电路以后 电容无法再次触发可控硅所以不存在二次启动问题 在扳机处是2级模式开关 扳机闭合状态 触发级电源与触发电容并联（给触发电容充电） 扣动扳机 电源与电容断开 当扳机到达发射位置时 电容放电 触发可控硅 光耦同时启动 关断主电容 二级也是如此 依次类推 [s:243]
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不过 目前有一个问题 就是我上班 哈哈 下周一才能继续施工（还有个问题 我的懒病又犯了 - -！）[s:261]
![131_6c1a1293732626768f6e535652aea.jpg]()
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我是说触发方式是机械开关！我说的是加速形式的效率，比如说到位以及关断。至少按你现在这个图画的开关位置是不合理的，会造成反拉。
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的确，很遗憾的告诉你你上面这个位置不可行。
机械开关的缺点就是需要通过多次实验来确定一个最好的位置，不像电子开关能够控制延时
而且我似乎没看出来你如何关断。还是说那个图中未标明？
机械开关的缺点就是需要通过多次实验来确定一个最好的位置，不像电子开关能够控制延时
而且我似乎没看出来你如何关断。还是说那个图中未标明？
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表示那就是最佳位置 - -！ 我已经测试过了 跟一级的位置是一样的 线圈4CM 子弹4厘米 最佳发射位置是2.2-2.6的位置（已经 经过无数次的实验了）我的二级触发位置选的是2.3 误差 只要在2.2-2.6之间 都是最大效率 所以你们说的效率问题 完全不是问题 现在就差 关断电路了 设计完成 只欠施工
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那个圈里才是触发位置 前面的红色是导线[s:245]
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LS的，弹丸到这个位置触发是可行的，但是关断呢？如果弹丸完全脱离这个触点后才能完成关断岂不是太晚了。 希望你考虑得更全面一些，或者把整套的图和说明发上来，让大家帮你揣摩揣摩。我也容易犯懒，多次的推敲也许能省去无用工或加以改进。
大家都没有否定你思路的意思，更没有说你的想法不先进，可见您是下了功夫的。只是想大家一起学习一起完善我们爱好者的团队能力。
大家都没有否定你思路的意思，更没有说你的想法不先进，可见您是下了功夫的。只是想大家一起学习一起完善我们爱好者的团队能力。
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电路想法值得肯定！但是还有值得推敲的地方。还有就是画电路的时候请规范，结合处请赌点。
这样的电路有成功的先例，这个电路的关断电容组需要注意容量的选择，太大了不仅浪费而且造成回啦，太小了有可能不足以关断。
你已经有两级了搭好电路试验下，为下一级积累经验。
这样的电路有成功的先例，这个电路的关断电容组需要注意容量的选择，太大了不仅浪费而且造成回啦，太小了有可能不足以关断。
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