理想状态下绝缘板两边的金属都是无限厚的吧

从公式看，要容纳无限的电量就需要无穷高的电压……只是电压和电荷量之间的比值一定。

不行的，由于内表面的电荷受力最后金属会被撕裂。
如果真空中也如此不断加电荷，金属球表面也会炸开

电容定义式不是C=Q/U，而是C=εS/4πkd，电容器的电容是由电容器的结构决定的。楼主所说的理想条件究竟是什么样的条件？

LZ对电容的理解有偏差。
C只是用来描述电容器存储电荷能力的常量。

理论上，理想电容是不会被击穿的，此时你如果不断的加高电压，其内存储的电荷就会越来越多，C就是用来描述随着电压的增高，电容器内存储的电荷数量增加的规律（正比，斜率为C）。

更形象的理解如下：
电容器就是一个底部面积为C的圆柱形水桶，你向水桶中加水（充电），水面就会上升（电压升高），水桶里的水量就越来越多（电荷数量变多）
如果你加水的速度也就是水流量（充电电流）保存恒定，那么水桶里的水面上升的速度就只与水桶的底面积C有关系，C越大则水面上升得越慢，C越小则水面上升的越快。
水桶的材料如果是理想的（永不破损，强度无穷大），你就可以一直向里面加水，水面高度也就会一直增加。

正常的电容就相当于正常的水桶，当水深达到一定的高度后，材料已经禁受不住这么大的压力（电介质的耐压值），此时水桶就会穿底（电容击穿）。。。

真空不是绝缘的，直接发射电子了

c=QU好好查清楚各各解释

你的理想状态具体是指什么条件？是用于理论研究的抽象模型还是实际使用中的具体事物？？
第一，假如是抽象模型，那就要看你虚拟的是否能够满足你的研究需要
第二，假如是具体的电容，那就要看能够有多少分子能够参与生成电场的活动了。
比如有一个平板电容，界面分别有一层分子，均匀排列，化合价一个+1,另一面-1，两个面各有1mol分子，那么这个电容能够使用的极限电子，就应该是1mol对

有人算过1mol电子的静电斥力能把喜马拉雅山掀掉

实际的电容所带的电荷是随电压升高而增大。
真空也有介电常数，楼主所说的理想情况指的是什么？

引用第10楼pl_014于2012-12-28 17:37发表的  :
实际的电容所带的电荷是随电压升高而增大。
真空也有介电常数，楼主所说的理想情况指的是什么？

介电常数正无穷

当电场能量大到一定程度，确切一点说当电容器内介质中的电场能量密度达到一定数值时，弓虽大的电场会导致时空结构的扭曲甚至撕裂，认为地制造出一个黑洞。