找了一天的绘图软件，不是不好用就是不会用，所以随便找个凑合下吧！中间的16个点是494的16只脚，事先声明，本人没学过IC，之所以画这张图是因为最近看了不少sstc的驱动和等离子扬声器的图，遂结合了一下，也就是拆东墙补西墙[s:230]如有错误还请高手指正！！
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瞎画个TL494的半桥驱动高压包电路，还请大家指正！
回 4楼(奇侠) 的帖子
大哥怎么能够并着用呢= =同相了还驱动个毛= =
驱动电压关系不大= =只要494输出电平能把管子饱和就行了。。箍数都自己定所以电压12-20都算合理
驱动电压关系不大= =只要494输出电平能把管子饱和就行了。。箍数都自己定所以电压12-20都算合理
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回 5楼(任某人) 的帖子
大哥啊…看来是我表述不清楚啊…其实我是想说一个相位驱动两个8050/8550图腾，这样的话驱动力从理论上说比只用一对大一倍……（注意量词…一个…一对）
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回 6楼(奇侠) 的帖子
额。。不解不解。。bjt又没有内阻。。你并俩压降还是一样的= =你推一个图腾跟推1000个图腾喂给场馆有啥区别呢。。
只要负载在三极管能承受的电流以内三极管喂得肯定时候最大的电流，这根电阻并联不一样
只要负载在三极管能承受的电流以内三极管喂得肯定时候最大的电流，这根电阻并联不一样
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回 8楼(奇侠) 的帖子
我知道你啥意思。。
现在是8050 8550峰值电流足够推mos图腾了，还有什么必要并管？
你并再多管子压降还是一样的，如果mos输入阻抗不变效果是一样的。。就跟你并100000个二极管和一个二极管 整500mA的电流有区别吗= =
现在是8050 8550峰值电流足够推mos图腾了，还有什么必要并管？
你并再多管子压降还是一样的，如果mos输入阻抗不变效果是一样的。。就跟你并100000个二极管和一个二极管 整500mA的电流有区别吗= =
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回 11楼(奇侠) 的帖子
大哥人家可没有直接用图腾推半桥阿。。mos图腾不算低阻抗的负载啊。。峰值电流够了就行了Irms很小的。。
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回 12楼(任某人) 的帖子
啊…这我就不太清楚LZ想怎么用了…不过我之前用一对8050/8550图腾推GDT推50ud半桥时，图腾管热得像陀屎一样…不过波形却杠杠的…
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回 13楼(奇侠) 的帖子
额= =你看清楚lz画的。。用bjt图腾直接退开关管有点太蛋疼了吧。。
他这明显是bjt图腾推mos图腾啊= =
虽然已经证明过此法推图腾延时大的像一坨屎一样= =
@金柯居士。。
小翠翠粗来。。看还能吧之前仿真那图找出来不？
他这明显是bjt图腾推mos图腾啊= =
虽然已经证明过此法推图腾延时大的像一坨屎一样= =
@金柯居士。。
小翠翠粗来。。看还能吧之前仿真那图找出来不？
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回 15楼(rb-sama) 的帖子
瞄了一下50ud的pdf。Ciss=4000pF，Crss=52pF，那就可以进行计算（平均电流）
这里C1对应Crss，C2对应Ciss
![MOS管.png]()
然后计算给C2充电电流，当时我是用18V供电
利用公式I=Q/t Q=CU 可得
I=CU/t
我在这里计算的是从0V升到18V的过程，然后假设上升时间150ns，这个速度已经可以了。
那么给C2充电的电流设为I2，即
I2=[{4000*10^（-12）}*18]/{150*10^(-9)}=480mA
然后计算I1，当时我给半桥供电60V，即U=60+18=78V
在这里考虑米勒电容效应，Crss会扩到原来的4至5倍（我以4倍计算）
同理可算得
I1=108.16mA
即给一个50ud充电在150ns内上升到18V需要I1+I2=0.58816A
给两个50ud的话
需要电流0.58816*2=1.17632A
然后回来看看一对8050/8550图腾所能提供电流
pdf上写的是1.5A，小于所计算值。看来确实有这个能力。
综上来说，是个人技术不够导致的发热。
完
这里C1对应Crss，C2对应Ciss
然后计算给C2充电电流，当时我是用18V供电
利用公式I=Q/t Q=CU 可得
I=CU/t
我在这里计算的是从0V升到18V的过程，然后假设上升时间150ns，这个速度已经可以了。
那么给C2充电的电流设为I2，即
I2=[{4000*10^（-12）}*18]/{150*10^(-9)}=480mA
然后计算I1，当时我给半桥供电60V，即U=60+18=78V
在这里考虑米勒电容效应，Crss会扩到原来的4至5倍（我以4倍计算）
同理可算得
I1=108.16mA
即给一个50ud充电在150ns内上升到18V需要I1+I2=0.58816A
给两个50ud的话
需要电流0.58816*2=1.17632A
然后回来看看一对8050/8550图腾所能提供电流
pdf上写的是1.5A，小于所计算值。看来确实有这个能力。
综上来说，是个人技术不够导致的发热。
完
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回 16楼(奇侠) 的帖子
米勒电容在电压60V的时候。会向C1倒灌40多V的电压。
在母线电压更高的时候会更大。这时候你再用Q=CU算算需要中和的电荷量。
计算的时候。这个数值能很精确算出来。干嘛估算。而且母线四五百V的时候。可不是四五倍。而是四五十倍。
而且之前是在讨论MOS图腾。并不是在讨论驱动50UD。
驱动50UD全桥的话。需要把所有参数X4。并且还要按最大母线电压算米勒电容带来的影响。
而分析8050/8550驱动MOSFET图腾。是绰绰有余不需要并管。就是这样。
PS：I=Q/T这个公式有点幼稚。只对于横流有作用。实际上这个式子应该写成Q=∫Idt
给电容充电时候。电荷量是电流对时间的积分。这时候你需要计算的是电路的阶跃阻抗。
才能确切得出Ipk这个驱动电流最大值。而不是简单的用高中物理公式算一算了事。
在母线电压更高的时候会更大。这时候你再用Q=CU算算需要中和的电荷量。
计算的时候。这个数值能很精确算出来。干嘛估算。而且母线四五百V的时候。可不是四五倍。而是四五十倍。
而且之前是在讨论MOS图腾。并不是在讨论驱动50UD。
驱动50UD全桥的话。需要把所有参数X4。并且还要按最大母线电压算米勒电容带来的影响。
而分析8050/8550驱动MOSFET图腾。是绰绰有余不需要并管。就是这样。
PS：I=Q/T这个公式有点幼稚。只对于横流有作用。实际上这个式子应该写成Q=∫Idt
给电容充电时候。电荷量是电流对时间的积分。这时候你需要计算的是电路的阶跃阻抗。
才能确切得出Ipk这个驱动电流最大值。而不是简单的用高中物理公式算一算了事。
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回 16楼(奇侠) 的帖子
随手用spice仿真了一下不考虑米勒电容情况下对一个LCR电路的充放电。
来模拟对50UD 栅极的驱动。
![QQ截图20121205200726.jpg]()
驱动电压源内阻为0。线路总漏感100nH。栅极电阻4.7ohm。Ciss=4nF。
驱动源特性为在10mS的时候。提供一个100nS速度的电压提升。高电平15V。低电平0V。
写入控制语句.tran 20mS 使之提供整个系统20mS内的所有数据。
![QQ截图20121205200716.jpg]()
仿真开始之后。可以很明显看到熟悉的驱动波形。
绿色曲线为电容电压。也就是栅极电压。由于漏感的存在。有一个微小的电压过冲。
接下来是我们要研究的蓝色曲线。蓝色曲线即驱动电流波形。
Ipk电流峰值毫无疑问的达到了700mA。 而Tr=160nS。和你用线性公式算出来的差远了。
而且你的设定参数是Tr=150nS Vo=18V。Ipk无疑大于700mA。
这样一来。光是驱动Ciss都要耗费这么大的电流峰值。
就更不用考虑在高压母线300~400V的情况下驱动电路抵消通过Cm电容感应回来的电动势所需要的峰值电流了。
这样说你应该能理解为什么一些MOS/IGBT驱动器需要动辄听起来很吓人几十A的内阻抗特征对应电流吧。
那些几十A的驱动器并不是虚标。而是的确需要提供这么大电流来抵消Cm的影响。
来模拟对50UD 栅极的驱动。
驱动电压源内阻为0。线路总漏感100nH。栅极电阻4.7ohm。Ciss=4nF。
驱动源特性为在10mS的时候。提供一个100nS速度的电压提升。高电平15V。低电平0V。
写入控制语句.tran 20mS 使之提供整个系统20mS内的所有数据。
仿真开始之后。可以很明显看到熟悉的驱动波形。
绿色曲线为电容电压。也就是栅极电压。由于漏感的存在。有一个微小的电压过冲。
接下来是我们要研究的蓝色曲线。蓝色曲线即驱动电流波形。
Ipk电流峰值毫无疑问的达到了700mA。 而Tr=160nS。和你用线性公式算出来的差远了。
而且你的设定参数是Tr=150nS Vo=18V。Ipk无疑大于700mA。
这样一来。光是驱动Ciss都要耗费这么大的电流峰值。
就更不用考虑在高压母线300~400V的情况下驱动电路抵消通过Cm电容感应回来的电动势所需要的峰值电流了。
这样说你应该能理解为什么一些MOS/IGBT驱动器需要动辄听起来很吓人几十A的内阻抗特征对应电流吧。
那些几十A的驱动器并不是虚标。而是的确需要提供这么大电流来抵消Cm的影响。
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刚才又重新设定了参数。算了下米勒电容。在400V母线下需要将近9A的驱动电流。
而50UD全桥需要将这个参数X4。这还是没考虑到GDT系统的能损。
现在想起用8050/8550驱动全桥还想达到150nS的Tr Tf真是太神奇了[s:220]
而540 520这种小MOS。不需要考虑Cm。Ciss几百pF需要的驱动电流小得可怜。
反而用8050/8550并管驱动倒是挺奇葩的[s:220]
而50UD全桥需要将这个参数X4。这还是没考虑到GDT系统的能损。
现在想起用8050/8550驱动全桥还想达到150nS的Tr Tf真是太神奇了[s:220]
而540 520这种小MOS。不需要考虑Cm。Ciss几百pF需要的驱动电流小得可怜。
反而用8050/8550并管驱动倒是挺奇葩的[s:220]
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回 19楼(rb-sama) 的帖子
好吧。一不小心歪楼了。是我的错。那个计算方法是在开关电源设计（第二版）的MOSTFE驱动的讲解里的，我知道I=Q/t这样计算是平均电流，所以也有些疑惑为何这么算。写成积分形式倒是会更加准确。然后到对于LZ的问题，我的本意是说用双对8050/8550图腾直推GDT的，可惜后面慢慢地歪了。还有感谢B的讲解。爪机打字不多了。完
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光发了个贴也没注意看
手机有点残疾，不能挨个回了。不过看见大家的讨论我也算长了见识了！我是先看见的BLACK套件里用8050和8550推MOS的，后来又看见有前辈用套件推高压包，而且发现音乐包的线路和套件的前半部分相似，遂查了TL494的资料后将其结合准备用市电推高压包的！
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大侠，我想问下我这个原理图对么，是用来驱动MOS管的，MOS管是IRF840,Ciss=1300pf Crss=18pf
脉冲方波为了让Q3输出的波形同输入的波形一直，所以加入了反相器74HC04，Q3起到信号放大的作用，输入的信号0--3V，输出信号0-15V，经过图腾Q2和Q1，提高了驱动能力，我这样的原理图对么？
![139_37323_459a7095bf77c1d.jpg]()
在实际作出的板子，输入的信号为脉冲信号当输入低电平0V，从图腾输出的信号是3v左右，当输入信号为高电平3V，输出的信号是12V左右，可以导通MOS管，出来的效果也很好，能够实现-200V左右的负脉冲。
可是隔天放了后再用的时候就有很大的漂移，输入信号为低电平0V，输出信号是5V左右（一开始效果不错的时候输出的信号是2V左右）。而且在用反相器的时候有个这样的现象，如果给反相器74HC04提供3V的电压，输入的信号必须大于3V，否则没有信号或者信号有很大的抖动。不知道是什么原因。从图腾输出的信号一开始还挺好的挺稳定的，可是现在就变成了下面的样子（下面的信号是从图腾电路输出的信号，用于驱动后级的MOS管）
![139_37323_e27d1a2b3710604.jpg]()
左边的信号有的当输入信号0时输出有3V左右，到了后面就成5V了
![139_37323_945616785819569.jpg]()
![139_37323_7b5ea598cfce07e.jpg]()
这些信号都是时好时坏的，不稳定，如果低电压5V，就已经导通了，就没有意义了，想最低的电压是0V，不知道原理图中是不是图腾的电路有问题呢，是不是应该加入些什么，是不是饱和或者~~~
![139_37323_f742d73ee59a625.jpg]()
还有就是把信号放大后方波的一开始有很大的抖动，这个应该怎么消除呢
脉冲方波为了让Q3输出的波形同输入的波形一直，所以加入了反相器74HC04，Q3起到信号放大的作用，输入的信号0--3V，输出信号0-15V，经过图腾Q2和Q1，提高了驱动能力，我这样的原理图对么？
在实际作出的板子，输入的信号为脉冲信号当输入低电平0V，从图腾输出的信号是3v左右，当输入信号为高电平3V，输出的信号是12V左右，可以导通MOS管，出来的效果也很好，能够实现-200V左右的负脉冲。
可是隔天放了后再用的时候就有很大的漂移，输入信号为低电平0V，输出信号是5V左右（一开始效果不错的时候输出的信号是2V左右）。而且在用反相器的时候有个这样的现象，如果给反相器74HC04提供3V的电压，输入的信号必须大于3V，否则没有信号或者信号有很大的抖动。不知道是什么原因。从图腾输出的信号一开始还挺好的挺稳定的，可是现在就变成了下面的样子（下面的信号是从图腾电路输出的信号，用于驱动后级的MOS管）
左边的信号有的当输入信号0时输出有3V左右，到了后面就成5V了
这些信号都是时好时坏的，不稳定，如果低电压5V，就已经导通了，就没有意义了，想最低的电压是0V，不知道原理图中是不是图腾的电路有问题呢，是不是应该加入些什么，是不是饱和或者~~~
还有就是把信号放大后方波的一开始有很大的抖动，这个应该怎么消除呢
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