对于ZVS原理分析实验的错误进行重新实验
caesar_king2014/01/20高电压技术 IP:湖南
本帖最后由 caesar_king 于 2014-1-20 13:59 编辑

昨天发的帖子,负载用两个100uH铁粉芯磁芯代替。
铁粉芯磁芯高频性能不好,而且ZVS在工作时两个绕组是缠在同一个铁芯上的。二者之间有一些影响不能单纯用铁粉芯代替。此处是我忽略了。
此处造成了昨日测量数据并不准确。
十分感谢@左哥 把我的错误挑出来。

但由于我的4668已经烧坏,故不能重复分析发热的实验。望@虎哥 帮助。
只能重新做ZVS原理分析的实验。

今天上午,开始试验
nEO_IMG_DSC_1302.jpg
管子用260,所有条件于昨天相同。负载更换,用一个变压器做负载,磁芯EC40,初级绕组0.65mm漆包线两股并绕5T+5T,次级绕组0.65mm漆包线单股25T,次级经FR307整流桥整流,连接一个MKP做滤波电容,用两个10K电阻放电做负载。
用示波器观察了D极和G极波形。
nEO_IMG_DSC_1313.jpg
小平台仍然存在,但比较昨天的波形,好了很多,我听取@虎哥 的建议,通过示波器的数学功能直接测量了GS的电压。探头是十倍衰减的,通过示波器,测出小平台的电压是3.6V。
FR307的压降应该小于2V,所以推翻昨天的推论,平台的产生原因并非由于FR307压降。
相反,3.6V是MOS门极的导通电压。所以小平台的出现,一定与MOS导通和关断有关。
我又测量了另一只MOS平台的电压,发现是4V。这正符合MOS有误差的情况。
nEO_IMG_DSC_1314.jpg
分析一只MOS的DG两极。

nEO_IMG_DSC_1316.jpg
下降沿平台的开始与MOS关断在同一时间上。而MOS的G极上升图像上也出现了平台,这个上升平台的开始意味着下降沿平台的结束。

nEO_IMG_DSC_1317.jpg
下降沿结束时,上升平台也结束。

两个平台相互交接,而且时间相等。

nEO_IMG_DSC_1310.jpg
这个是MOS1的D极和MOS2的G极图像。由此图像看出,上升平台和下降平台完全重合。而且在MOS1没有完全导通时,MOS2就已经关断,中间还是会造成一段时间的不导通状态,两个MOS都处于关断状态。

于是给出如下解释:

MOS1的G极由于谐振被泄压,小于MOS1的导通电压瞬间,MOS1关断,同一瞬间MOS2的控制电路充电。此时MOS2还没导通,两MOS均在关断状态。因为关断,二极管泄压能力会呈下降趋势但还有泄压能力,理由是电容也同时开始充电,而且470电阻还在不断充入电能,此时电容充满电,LC谐振不能继续进行,所以出现一个小平台。(我想,这时应该不会平衡,所以把图像放大,这个平台应该是有上升或下降趋势。@虎哥 请科创仪表局帮忙证实。)

当MOS2的控制电路达到导通电压瞬间,MOS2导通。电容被放电,前一个LC谐振回路波形继续,MOS1的G极也得以继续泄压。而在电容一侧脚完全放电之前,新一轮的LC谐振不得继续,所以出现了上升沿平台。

——————END——————
+10  科创币    左哥    2014/01/20 全给你了
+20  科创币    最高主机泡泡    2014/01/20 我也全给你了
+10  科创币    我的马甲    2014/01/20 高质量发帖
+10  科创币    go炮君    2014/01/20 高质量发帖
+10  科创币    1999德意志    2014/01/20 高质量发帖
+40  科创币    game00over    2014/01/20 高质量发帖
+50  科创币    q81919119    2014/01/21 高质量发帖
+10  科创币    a2287504358    2014/01/23 高质量发帖
来自:电气工程 / 高电压技术
16
已屏蔽 原因:{{ notice.reason }}已屏蔽
{{notice.noticeContent}}
~~空空如也
caesar_king 作者
10年4个月前 IP:未同步
664090
@baiwenglong @左哥 谢谢[s:7]另外,对我的新想法有何看法?
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
ne555
10年4个月前 IP:未同步
664176
米勒效应造成,小平台好像叫米勒平台,开关电源中,影响发热和效率
和手册中的Cgd参数有关
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
金坷居士
10年4个月前 IP:未同步
664222
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos的下拉 内阻应该是比较大的 不能提供很好的驱动 因此这个平台比较大

鬼佬貌似有IC版的ZVS 有没有人尝试过呢
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664230
额,竟然还有专业名称。。。。
忽然发现昨天分析了半天小平台的形成原因。。。原来早就有专门的现象来解释了
ZVS的驱动电阻确实大。。或许减少电阻,独立驱动会好些吧
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
奶酪
10年4个月前 IP:未同步
664239
本帖最后由 奶酪 于 2014-1-20 22:20 编辑

自从儿子出世,再没时间捣腾。。。看到近日这两帖,提起了兴趣,顺带发个弄了一半的增强驱动ZVS,带隔离整流输出及限压机制(部分元件及变压器还没上去),小体积专为高压电容设计,只能等有空了再继续~
2014-01-13_13-48-26_229.jpg
2014-01-13_13-48-50_391.jpg
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
奶酪
10年4个月前 IP:未同步
664244
楼主钻研精神可嘉~继续研究可以发现更多有意思的东西~嘿嘿~
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664313
ne555 发表于 2014-1-20 19:50
米勒效应造成,小平台好像叫米勒平台,开关电源中,影响发热和效率
和手册中的Cgd参数有关


原来研究了半天的东西早就有专门的解释了= =还是没做足功课呀= =不过至少发现了这个现象并尝试着解释,最后获得了专业的解释,这个过程就叫学习了
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664314
金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...


那就需要独立的内阻偏小的驱动才能解决这个问题。
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664315
baiwenglong 发表于 2014-1-20 21:56
额,竟然还有专业名称。。。。
忽然发现昨天分析了半天小平台的形成原因。。。原来早就有专门的现象来解释 ...


那不就是半桥了?
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664316
奶酪 发表于 2014-1-20 22:18
自从儿子出世,再没时间捣腾。。。看到近日这两帖,提起了兴趣,顺带发个弄了一半的增强驱动ZVS,带隔离整 ...


我觉得改变了ZVS的驱动,就愈发像半桥了。其实,经典ZVS就是一种自带频率的半桥,我觉得。
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664318
奶酪 发表于 2014-1-20 22:25
楼主钻研精神可嘉~继续研究可以发现更多有意思的东西~嘿嘿~


嗯!谢谢鼓励!一定继续努力![s:7]
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664320
caesar_king 发表于 2014-1-21 10:48
那不就是半桥了?


呃,这两个帖子学到了不少东西,唉,还是知识不足,原来早就有解释了。。。
决定这个假期要把《开关电源设计》看完了,希望能多点知识吧
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664325
baiwenglong 发表于 2014-1-21 10:54
呃,这两个帖子学到了不少东西,唉,还是知识不足,原来早就有解释了。。。
决定这个假期要把《开关电源 ...


我也是![s:104]
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664334
金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...


还是继续翻PDF。。。
IRFP250 Ciss 2600pF Qg120nC Qgd64nC
IRFP260 Ciss 4057pF Qg234nC Qgd110nC
IRFP460 Ciss 4200pF Qg210nC Qgd110nCC
IRFP4668 Ciss 10720pF Qg241nC Qgd52nC(典型值)
Ciss均为典型值,其余未注明为最大值(PDF上只有这些了= =)
可以看出250上升沿快是因为Ciss很小,几乎差一半
4668的Ciss则大了一半以上,ZVS驱动内阻大,效率就低了
至于Qgd这个手册上写明”Miller“,4668则最小(虽然是典型值吧,也有可比性啊),效果不好,只能解释为Ciss影响,单独驱动可能会好些呢
250的Qgd仍然很小,可惜电流小,要不然估计效率比260还要高,,,
260的参数还是不错的,用来做ZVS很理想
3205没有查,待会看看
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
@@
9年11个月前 IP:未同步
694069
金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...


求IC版本,分析一下
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论
flynn
9年10个月前 IP:未同步
698472
baiwenglong 发表于 2014-1-21 11:18
还是继续翻PDF。。。
IRFP250 Ciss 2600pF Qg120nC Qgd64nC
IRFP260 Ciss 4057pF Qg234nC Qgd110nC


频率10K的话,应该要算在这个频率上最适合哪个吧,,,如果我要工作频率在1M或者10M,这些都是废管子,你说是么?
引用
评论
加载评论中,请稍候...
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。
折叠评论

想参与大家的讨论?现在就 登录 或者 注册

所属专业
所属分类
上级专业
同级专业
caesar_king
进士 机友 笔友
文章
25
回复
168
学术分
0
2013/07/15注册,1年0个月前活动

永远三岁

主体类型:个人
所属领域:无
认证方式:手机号
IP归属地:未同步
文件下载
加载中...
{{errorInfo}}
{{downloadWarning}}
你在 {{downloadTime}} 下载过当前文件。
文件名称:{{resource.defaultFile.name}}
下载次数:{{resource.hits}}
上传用户:{{uploader.username}}
所需积分:{{costScores}},{{holdScores}}下载当前附件免费{{description}}
积分不足,去充值
文件已丢失

当前账号的附件下载数量限制如下:
时段 个数
{{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 {{f.fileCount}}
视频暂不能访问,请登录试试
仅供内部学术交流或培训使用,请先保存到本地。本内容不代表科创观点,未经原作者同意,请勿转载。
音频暂不能访问,请登录试试
支持的图片格式:jpg, jpeg, png
插入公式
评论控制
加载中...
文号:{{pid}}
投诉或举报
加载中...
{{tip}}
请选择违规类型:
{{reason.type}}

空空如也

加载中...
详情
详情
推送到专栏从专栏移除
设为匿名取消匿名
查看作者
回复
只看作者
加入收藏取消收藏
收藏
取消收藏
折叠回复
置顶取消置顶
评学术分
鼓励
设为精选取消精选
管理提醒
编辑
通过审核
评论控制
退修或删除
历史版本
违规记录
投诉或举报
加入黑名单移除黑名单
查看IP
{{format('YYYY/MM/DD HH:mm:ss', toc)}}