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4、温度系数
即分压比的温度系数，用ppm/C来表示
5、功率系数/电压系数
即某输入电压下，因电阻发热而引起的变化
6、分压比的老化
这是由于分压电阻老化大小不一样而引起的。
2、程序可以做到没有误差，硬件的误差更重要，好的晶振和低温度系数的电容是关键。3、内部把运行周期做成100ms或10ms，然后做一个软件修正，如100000秒后加/减一个计数单位。
后来国内高精度的场合大量使用补偿的稳压二极管，用正偏二极管的负向温度系数抵消稳压二极管的正温度系数，2dw7c（后来改型为2dw232）是最典型的高精度的，温度系数小到0.005%/c，即50ppm/c
担心KNDX飞溅，外层包上铝箔遮盖PTC加热器的工作原理：PTC加热器的内部发热体是正温度系数热敏电阻，其电阻值随着PTC热敏电阻本体温度的升高呈现出阶跃性的增加, 温度越高,电阻值越大。
其中温度控制电路由555和R1、R2～R4、W1、W2等组成，且R1为一负温度系数的热敏电阻(3kΩ)，W1为温度下限预置调节，W2温度上限预置调节，且通过调节W1、W2使555②脚、⑥脚分别置于1/3Vcc
1.将传统电阻RG变更为正温度系数(PPTC)保险丝。它既具有电阻的效果，又对温度比较敏感。当内部电流增加时，其阻抗也在增加，从而对过流具有非常好的抑制效果。
4）居里温度θf和饱和磁化强度Μs的温度系数αΜs 居里温度θf，是指由于热运动致使材料自发磁化消失的温度, 即磁性材料由铁磁或亚铁磁状态转变为顺磁状态的临界温度。居里温度也常记作Tc。
再大没试, 因为当散热片用的机壳散热性能有限, 输出的耦合电容耐压也不够高.场效应管最大的好处是温度变高之后输出功率会降低, 这样工作时间长了不容易烧管, 如果对输出功率的温度系数要求不高的话不像双极型晶体管需要温度补偿
我选择了德国品牌的Vitrohm 75k 0.1%电阻进行了并联（图），该电阻指标温度系数25ppm/℃，实际测试<10ppm/℃。并联的过程很简单。
大电流采样用6J22合金，性能已经很好了，再好得用陶瓷基底的零温度系数电流采样电阻。这个可能是康铜之类的档位开关显然不是格雷码之类的，属于做题太多导致的幻觉，还需要回到最基本的需求。
金属的纯度对温度系数影响还是很大的，买点测温专用的铜丝或镍丝吧，这玩意儿有分度号和品质等级的。铜热电阻使用范围在 -50～150 度，我没太看明白你这边的使用场景，自己估计一下吧，不要偏差太大就行。
打算以此来探究硫化铅薄膜的NTC特性，所谓NTC特性是半导体材料具备的负温度系数特性，即随着温度的上升电阻值下降，一般的金属等材料是正温度特性的，即温度上升电阻也上升，半导体材料之所以具备这个特性是因为随着温度的上升
好的标题是这样的： 概括主要内容，特别是关键信息 “求解电阻温度系数的问题”优于“求解温度系数的问题”、“晒晒我做的RAP火箭”优于“我做的火箭” 适当的润色，增加标题的吸引力。
图中是正温度系数温敏电阻，可以到淘宝网上搜索“热敏电阻” 如果买不到原阻抗的，只要阻抗不是相差太多，稍微修改一下电路里其他电阻参数就可以直接运用了。.......谢谢谢谢，非常感谢
的方案使用了自举技术（bootstrapping ），基本思想是利用LM399自身的稳压，经过运放升压后，通过一个限流电阻R409给LM399供电，形成一个闭环最大的好处是降低了限流电阻R409的要求，温度系数
200多元档次的电磁炉，其炉盘面板为聚四氟乙烯或者微晶玻璃，其温度传感器均为一只IN4148外型的二极管，在炉盘底下线圈的正中心，紧贴炉盘，工作原理无非就是利用二极管P-N结约-2.2mV/℃的正向温度系数来感应温度
不用平衡对小，温度系数就不容小窥。 上图的直流放大框架隐含问题，做到最后发现无法弥补。所以打算推倒重来。以前想法就是框架上简单一些，不用负压产生电路。
这样探头至少屁股那一边可以工作在加热恒温状态下，如此在工艺上，温度系数取得和校准的工作将大大简化，在图谱精度上，sipm温度敏感的问题可以哟几个便宜的模拟器件就可以得到可靠解决。