大家给个意见我的想法可行吗？
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[原创]谁说可控硅不容易关断！v型开关的分析与改进
我们平时作实验时采用三种控制方案。
1、 可控硅
2、 IGBT
3、 大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！
1、 可控硅
2、 IGBT
3、 大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！
GTO的关断瞬间激励功率甚大，使用受到相当限制。
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大功率GTO的关断增益才几倍,关断1000A的电流要给控制级加200A的负电流,单驱动就不是件简单事.
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1.2ms的关断时间是否太长了，会影响效率的。因为弹丸过了中点后如电流没关断就做负功了。子弹在加速线圈中的时间也只有数ms或零点几ms。如果像你这样的子弹要倒着出来了。
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楼上的，你认为理想的是多少，你给个设计.
好像没见过你的试验资料。
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引用第9楼hongrh于2009-07-16 17:17发表的 :
你好,发个可控硅硬关断电路吧,谢谢
论坛里有关于v型开关的！你先自己找！我在做新的实验
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看到你们的争论,我想到个问题,就是搞个时间控制器预先加载,当子弹到线圈中点时刚好放完这一级电,然后立马启动下一级如此类推,那不是更好??我这想法不会很傻吧?!
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引用第11楼amen1345于2009-07-17 22:23发表的 :
看到你们的争论,我想到个问题,就是搞个时间控制器预先加载,当子弹到线圈中点时刚好放完这一级电,然后立马启动下一级如此类推,那不是更好??我这想法不会很傻吧?!
你的想法很好，但是几乎每次发射都是在不完全相同条件，所以开启时间和关断时间无法做出随机调整！
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引用楼主狩猎者于2009-04-21 12:57发表的 [原创]谁说可控硅不容易关断！v型开关的分析与改进 :
我们平时作实验时采用三种控制方案。
1、 可控硅
2、 IGBT
3、 大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！
[s:247]没看明白！
又是“原创”又是“前些天偶然看到了一个电路”………………
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引用第13楼stitch于2009-07-18 15:01发表的 :
[s:247]没看明白！
又是“原创”又是“前些天偶然看到了一个电路”………………
是不是想扣分？
我可以很明确的说不在扣分范畴，因为可控硅的硬关断方式无法改变，这不能算是抄袭吧！
原来的原理是需要另外一组电容提供反向电压，但是经过我的创新，已经无需两个，更不需要另外的一组电容，简化了电路，提高了使用效率，增强了整个电路的稳定性。
难道这样也要扣分吗？
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回 14楼(潜伏者) 的帖子
别生气,没仔细看内容就回复的多着!
另外,在激励的线圈上增加一层感应,好像有其他副作用!
另外,在激励的线圈上增加一层感应,好像有其他副作用!
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看着完全是一头雾水....简化版的电路原理都没法看明白,疼..
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好像看到一个图纸上面说逆变器可以用可控硅控制，那个图纸上面是加逆向关断
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回 楼主(潜伏者) 的帖子
"但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！"
好深奥...能画个示意图不?
好深奥...能画个示意图不?
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V型开关有谁试验成功的没有,指导一下
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V型开关怎么试都没有成功,可不可在线圈上并一个可控硅,关断时这个可控硅导通,我有一个硅,310V 4700UF,有一次接错,电容被硅短路也没有挂.
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其实V型开关仅仅是像形的叫法，实际上可控硅可以自行关断。看到这里脸上一定有个问号！你没有看错，确实可以关断，但是要求电流小于25MA，实际上每个可控硅都不一样，自关断的最高电流也不同。那么看到这里大家应该想到什么能关断可控硅
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其实V型开关仅仅是像形的叫法，实际上可控硅可以自行关断。看到这里脸上一定有个问号！你没有看错，确实可以关断，但是要求电流小于25MA，实际上每个可控硅都不一样，自关断的最高电流也不同。那么看到这里大家应该想到什么能关断可控硅
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