看楼主的电路图,二级的确实可以不用单片机的,模电实现应该不复杂.我刚才在百度文库上看到,ST150的响应时间是150us,貌似不够啊.
有一点不明,想请问楼主,第一张图中的滤波电容,为什么放在整流桥前面?
有一点不明,想请问楼主,第一张图中的滤波电容,为什么放在整流桥前面?
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准备做两级加速，先上电路图
我一直用的升压电路，变压器45块钱买的，蛮好用的，CBB电容6块钱
电容组，没有加泄放电阻
上面的那个是我现在一直使用的电路，威力足矣贯穿茶叶铁盒
这个电路我试过，结果买到的SCR是冒牌货，被秒杀了，下次再试，先把这个成功了，再做两级加速，不过我不知道SCR控制级那个限流电阻应该加多少，大哥们能指导一下不，免得又被秒杀了
上图是我才设计的两级加速，其实用不着单片机，但是我就是学单片机，不用那玩意有点不爽，二级的匝数跟线圈的长度打算跟一级相同，不过电容只买一个10000UF，嘿嘿
这个是我用的光电门的电路图，我不知道ST150，能不能反应的过来，要是反应不过来就悲剧了。
单片机打算用AT89S52，外部中断，跳变沿方式触发，不过ST150输出波形很是令人担心，太杂了，（怕单片机乱来），我在示波器上看过，不知道各位有什么好办法，我以前用的是光耦滤波，但是考虑到子弹速度，就放弃了。
另外我第一次发的视频被和谐了，各位有啥好的网站，管的松一点的...太郁闷了...
你的第二级居然是容量比第一还大,线却是一样多的. 弹弹能出来就不错了
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一楼：那个电容是滤波的，不是滤波，如果相应时间太长，那我就用红外对管，
二楼；为什么二级不能比一级大，能讲讲原因不.....谢谢....
二楼；为什么二级不能比一级大，能讲讲原因不.....谢谢....
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不好意思说错了，那个电容是限流的，20uf，cbb电容
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回 4楼(小小kiss) 的帖子
好吧,我知道了.
红外对管貌似是可以,因为我曾见过有人用它做信号传输.至于光电门,应该也有响应时间短的型号吧?
红外对管貌似是可以,因为我曾见过有人用它做信号传输.至于光电门,应该也有响应时间短的型号吧?
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SCR限流电阻200欧~1K，根据你输入电压决定，这个电流本来就不会很大。
你换个变压器行不行，我已经说过超压容易出问题，百密总有一疏，稍不注意就可能酿成大祸。
你电容这么多为何不尝试串联？容量大并不等于威力一定更大。
光耦的速度你不必担心，担心下单片机的延时试验吧。
我自己的实验结果是光耦检测到弹头立即开通反而会因为不是最佳点而威力不佳，稍微延时下效果更好。
你换个变压器行不行，我已经说过超压容易出问题，百密总有一疏，稍不注意就可能酿成大祸。
你电容这么多为何不尝试串联？容量大并不等于威力一定更大。
光耦的速度你不必担心，担心下单片机的延时试验吧。
我自己的实验结果是光耦检测到弹头立即开通反而会因为不是最佳点而威力不佳，稍微延时下效果更好。
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四楼：应该是有的，我可以先试试看，如果反应不过来，那我就换更快的，或者红外的吧，[s:253]
五楼：知道了，谢谢，我会换一个稍微低一点的变压器的[s:253]，电容的串联我肯定会试试，不过最多升到510V左右，我还是学生那，没有那么多钱可以耗的[s:261]不过我马上就要上班了[s:243]
五楼：知道了，谢谢，我会换一个稍微低一点的变压器的[s:253]，电容的串联我肯定会试试，不过最多升到510V左右，我还是学生那，没有那么多钱可以耗的[s:261]不过我马上就要上班了[s:243]
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你的电容不都是450V/2200uF一个么？
2个串联，2对并联 这样就是900V/2200uF
看上去容量可能小了点，但是实际上作为第二级的话如果充满了会强很多。
一个50VA，220V-630V的工频变也不会贵到哪，但这样即便是和第一级一样的线圈效果也大不相同
使用工频高压注意安全！
2个串联，2对并联 这样就是900V/2200uF
看上去容量可能小了点，但是实际上作为第二级的话如果充满了会强很多。
一个50VA，220V-630V的工频变也不会贵到哪，但这样即便是和第一级一样的线圈效果也大不相同
使用工频高压注意安全！
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八楼：我改不了啊..说什么过了用户修改时间360分钟，实属无奈，- -..
九楼：我省点钱，去买一个，不过不知道有没有卖的...
我有几个问题:第一：为什么线圈发热的时候，威力会直线下降，因为线圈的内阻么?，线圈匝数越多，发热速度越小么？
第二：上面有位仁兄说，二级的电容容量比一级大，就会出现威力下降的情况，是这样么？[s:261]，[s:246]
求斑竹解答，[s:258]
九楼：我省点钱，去买一个，不过不知道有没有卖的...
我有几个问题:第一：为什么线圈发热的时候，威力会直线下降，因为线圈的内阻么?，线圈匝数越多，发热速度越小么？
第二：上面有位仁兄说，二级的电容容量比一级大，就会出现威力下降的情况，是这样么？[s:261]，[s:246]
求斑竹解答，[s:258]
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是这样，因为你的线径都一样粗，2个线圈几乎是相同的
如果储能大的话，相对的开关零件和线圈的线径要加粗，并且最好加上关断。
如果没有的话，储能太大而线圈阻抗也大的话，子弹会因为放电时间过长而导致了回拉
相对的，提高电压并且容量相对少一些的话反而可以使子弹在短时间内获得更大能量的加速。
320V整流后大约就是450V，相对的900V需要640V左右。变压器一般都能按一个起订做的，直接去订做比起买更方便。
最后：任何金属高温时都比低温时电阻大。
如果储能大的话，相对的开关零件和线圈的线径要加粗，并且最好加上关断。
如果没有的话，储能太大而线圈阻抗也大的话，子弹会因为放电时间过长而导致了回拉
相对的，提高电压并且容量相对少一些的话反而可以使子弹在短时间内获得更大能量的加速。
320V整流后大约就是450V，相对的900V需要640V左右。变压器一般都能按一个起订做的，直接去订做比起买更方便。
最后：任何金属高温时都比低温时电阻大。
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昨天我将两个电容串联，然后再并联，这样我就可以冲到900V了，但是我昨天只冲到490V，均压电阻就扛不住了。 [s:246] [s:261] 我用的是2W，10K的均压电阻，冲到490V的时候，电阻的外皮就开始掉落，我赶紧的把开关关了。 [s:94]
我在看置顶贴的时候，讲到1W 10K的电阻都行，为啥我的就会出现这种情况么。
昨天我又画了一张电路图，对前几天画的图作出修改，望大家指正： [s:258]
变压器修改为220-300V的，感谢版主多次提醒[s:257]
![57_92261286793372d0ec4b2a5a42a47.jpg]()
单片机部分电路，P2.0口那个LED灯，是看单片机最小系统能不能正常运行。
![57_82671286793374cf03a81b5a7d419.jpg]()
上次是使用晶闸管打开第一级，但是今天想想没那个必要，用空开反而更好，而且更省钱[s:92]
![57_fc68128679337830322fea5d8f1e5.jpg]()
我在看置顶贴的时候，讲到1W 10K的电阻都行，为啥我的就会出现这种情况么。
昨天我又画了一张电路图，对前几天画的图作出修改，望大家指正： [s:258]
变压器修改为220-300V的，感谢版主多次提醒[s:257]
单片机部分电路，P2.0口那个LED灯，是看单片机最小系统能不能正常运行。
上次是使用晶闸管打开第一级，但是今天想想没那个必要，用空开反而更好，而且更省钱[s:92]
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这个是 示意图，让传感器紧挨着第一级线圈，这样，我就可以用单片机延迟的方法，找出二级SCR最佳的导通时间[s:92]
![57_00961286794356fbc47771d2d2344.jpg]()
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10K2W功率太小了，电压高了当然受不了
我900V的电容用的可是51K10W的水泥电阻啊……
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13楼：https://www.kechuang.org/t/21247
这个是版主以前发的贴子，其中DR版主说，《市电整流后电压300V，根本不用加均压电阻》，但是我在置顶帖子上看到，如果不加均压电阻，就会有危险。 [s:261]
而且加了均压电阻以后，电容放电忒快了， [s:245]
《我計算的結果是:300/(2/300) = 45 000 45K而已啊 = = 》 还有DR版主这个计算式子看不懂啊....300是电容的耐压值么，还是整流后的最大电压？
[s:246]
这个是版主以前发的贴子，其中DR版主说，《市电整流后电压300V，根本不用加均压电阻》，但是我在置顶帖子上看到，如果不加均压电阻，就会有危险。 [s:261]
而且加了均压电阻以后，电容放电忒快了， [s:245]
《我計算的結果是:300/(2/300) = 45 000 45K而已啊 = = 》 还有DR版主这个计算式子看不懂啊....300是电容的耐压值么，还是整流后的最大电压？
[s:246]
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是这样，就好比并联开关管最好要均流一样，虽然不一定需要，但是不加可能会出事。
均压电阻也是一样道理，因为电容的内阻(内感暂时忽略)不同，快速充电时可能会因为内阻不同而造成的充电分压不均损坏电容。
另外没泄放的确挺危险的
均压电阻也是一样道理，因为电容的内阻(内感暂时忽略)不同，快速充电时可能会因为内阻不同而造成的充电分压不均损坏电容。
另外没泄放的确挺危险的
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