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中间插座2可能输入驱动信号，一般电路结构是通过电阻接到光耦输入端，TTL电平驱动，2组输入至少要占用3个管脚或4个，引线4和模块端子2要连接起来，引线5连接模块的端子1，否则电路可能不工作。
充电不用取磁铁的呀，磁铁表面是镀鉻还是镀铬的吧，我测了电阻可以忽略，充电 我用的都是18650万能锂电冲，加个磁铁热缩管什么的几乎没区别，总之，充电式小事啦，呵呵不过你说的防水防尘，倒是说到点子上了，得下下功夫
当然外围电阻、电容还是要的。双稳态电路很强大。改造改造就变成1位寄存器。把许多1位寄存器串联起来就成了移位寄存器，串得方法稍微变一下又成了计数器。双稳态电路再变成单稳态电路。.......
） 机械要命阿 设计不是问题 制作出来才是问题 ~~~~加工费用好可怕 我也作了一个简单的 怎么样说了 4线水平器把 （也不记得叫什么先这样以把） 以前用银作过 现在导电液体用盐水替代 电阻在
我设想初级线圈直流电阻忽略不计，交流阻抗5000MΩ。当AC5V接入：空载时，没有电流。因为都5000MΩ了，所以电流就微微小了。次级一直有交变感应电动势。次级有负载时。
12.6V5000ma 左右的容量~~~ 300多ma 跑死充电器了 安全起见，移动到一个不怕，爆炸，不怕着火的地方，放在工作间内风险无限高 目前安全起见使用暂波恒压电路限制最高输入到电池的电压，再使用电阻限制电流到
楼主用IO串电阻的方式来模拟开关电流源，给电容充电，大信号线性肯定不会好（输出波形会有点像饱和失真的）。另外数字CMOS IO的拉灌电流能力差别挺大，甚至有的器件拉灌能力会差1倍。
会不会是线;圈太粗了阻值小.而能量电压又不能很好转化使的.在初级部份严重发热而完蛋.我用场管和电阻做小升压电路时也发现场管发热很严重.不用三秒就很热了.只能是调整线圈了..还有就是电压,玩过电磁铁的我想都试过在多线端时给电磁铁输入
上面说的都不对哦~我是这样理解的：初级，电源加电在1K的电阻上面，电流通过基极，电流在b→e被放大，然后之间导通，电流通过下面那个线圈，在上面那线圈和次级线圈感应出一个电动势，上面那个线圈感应出的电动势把基极再次触发
引用第4楼black于2011-05-08 18:19发表的 :hseih你可以在输出端加上NTC（热敏电阻） 多用在电源输入端可以实现软负载 我當時測試時使用的負載不大，大約才消耗10W功率。
我最近也在做超声波测距，前端驱动和放大电路调了快一个月了，还是不行，我的驱动电路是单片机输出40K方波连接一4.7K电阻直接驱动三极管，没有阿丕提供的电路中的4011和4069，超声波探头是12V驱动，
这得多大电阻啊，功率全消耗在电线上了，跟高压包的连线，那是谐振电路的走线啊，短一点啊，场管的线，这么干是会受到干扰的，ZVS影响还小，要是DR直接就炸管，都不知道怎么炸的
所以，电弧很无力是吧，功率明显不足
后来发现是494振荡电阻忘记换了（声卡示波器不给力，所以在1.2kHz以下调试）不知是不是初级频率太低的原因导致挂管的我初级是额外绕10T，18V供电（和494同一电源）现在都不敢上电了，上一下秒一个[
但是，除了基准外，还有其他更多的因素需要考虑，运放的温漂、偏置，取样电阻精度、温漂、信号传输过程的干扰，线路电流影响，信号频率等等因素，这些远比基准的影响还要大。
不一定能安全的工作 在吸收电流过大的情况自激电路的话 如果反馈电阻选择不当的话 反馈信号并不能反向偏置三极管实现关断 也就只能一直工作在放大区 散热不好得起情况下 对三极管来说是很不友好的工作环境 所以建议
可能是电位器和振荡电容的参数不对造成电路无法起振5.你可以在11,14脚接个小发光二极管,串个限流电阻,看看电路有没有输出.输出亮度是不是一样.6.当然,如果有示波器那就很容易检测了
集电极负载电阻是1K。
期间试过用C3355，和2SK241代替第一级放大。感觉3355比9018的效果略强一点。而2SK241可能是阻抗和跨导关系，效果比9018略差一点。
贴片电阻的寄生电感大，少一个电容使两臂不完全对称，端口连接器有反射，都造成定向性下降。901大量使用定制器件，也不能良好消除的。对于vna，20dB很够了，校准完就会有60。