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...总功耗以及..坑爹的DS波形管子目前用俩250调试,耐压够高不容易炸尖峰估算了一下有70V左右..管子发热严重..应该就是带载驱动波形糟糕导致进入线性区了...求解法....尖峰可以用TVS或者RC
现在还是用RC RL 电压变化关系 在这里都是令t=τ 百度资料 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 测量电感这个速度跟不上
引用 icebe:那仅仅是VB6了 现在的Visual Studio 2012 (11.0) RC提供支持 Dynamic Language Runtime (DLR)、自动实现属性、集合初始化、不需要在代码断行书写时输入下划线
RC延时，精度可达10us。延时电路本身的成本低于5元。调节R1和C1可以改变延时时间。开关断开时开始计时，指示灯亮时延时结束。所用集成电路是74HC14，可能买不到2v版本，其他版本可以代用。
除了TVS我们还有两种吸收方式：电容和RC。好的吸收电容是很重要的。但是吸收电容只能该装在母线上。所以可以保证母线的波纹很小但是不能保证输出和VCC&输出和GND之间的状况。。但是无论如何。
将采样的电压电流信号经过RC延时,4001整形后反馈给4046。调整延迟时间就可以调整电路工作状态。
由于用的是推挽，所以换能器采用串联匹配，那么在谐振频率附近，频率低时呈现容性，频率高时呈现感性。
也嫌太大我选用了STC11F04E,说来凑巧,半年前我在淘宝上买东西错买了它,本来是要买STC12C5410AD的,这次竟然派上用场了 这可是我目前见过的最小的单片机,样子和3525一个德行,还带内部rc
上面第四张波形图，CH1是IGBT管（80J101）的C极波形CH2是IGBT管的G极波形可以看出，当C极的正弦波电压降到0时，延时（RC移相网络的作用）约10uS后G极才送入门控电压。
这个东西无论怎么做功率都不会很大，原来有多个变压器并联充电串联放电的图，找一个400V10uf的无极电容与一个电阻形成RC震荡，方法是升压到400V输入到电容内，然后充电电路关闭，控制双向可控硅打开然后就是通过变压器得到很短暂的高压大电流很暴力的交流输出了
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工业电子管感应加热用自偏压（阴极串联RC并联回路），但自偏压在大电流条件下会有很强的负反馈，这就不适合VTTC的工作环境了。单独绕组供电强负压又难以实现自激。
声卡不需要运放接pmt，实际662峰的分辨率贡献小于0.5%，我很多年前用不同的探测器都实测过性能，二手碘化钠（6.5%），溴化镧闪烁体（3%），和高纯锗（0.5%）都可以直接通过无源RC展宽来实现声卡直采
通过一个470的电阻使他开启就是一个RC电路么。。。
我查了一下460貌似是4200PF
260是4057PF。。。
4668是10720PF
差了两倍了。。这估计是上升沿的真实原因吧
我感觉压敏电阻可以去掉，那个貌似是用来吸收尖峰的，低压下可以不用装，而且也没见用压敏电阻来吸收尖峰的，一般用RC缓冲网络；4429是MOSFET驱动器，TC4429 MIC4429是一样的东西，只是厂家不一样而已
2，相移振荡器型一般用RC构成文氏桥或级联移相器。在相移达到180度的频点构成正反馈，形成振荡。3，UCD型这是一种特殊的相移振荡器。D类功放的输出LC滤波器被包含在了移相环节之中。
继续更新 仿真出来的原理图和结果稍微解释一下r3 r8是按照继电器手册等等效的绕组内阻q1 q2 达林顿接法r1 c1 rc延时 D21保证当c1上电压大于24+0.6+0.6v后使三极管开通给继电器供电因为实际电源上还有一个继电器当电源消失的时候
你可以加RC延时让灭弧飘一会儿（不加延时的灭弧分另一路留着有用），这样延时的时间为了引出最后一个或多个反馈pulse（大于1就行,多了也没事，反正过1个就不会有了。）
引用 1176764177:我这正憋着做数控的纯线性电源准备是运放做电压电流环然后用mcu的dac做ref你用过stm32的dac么电压稳定度如何需不需要做一个电压输出器或者rc滤波 不建议使用MCU参与电流控制
支持到05年，但是vb6则是到09年
不过现在学vb6除了玩玩还有什么用呢，新特性都不支持，可扩展性又差，我还是建议楼主学c# 那仅仅是VB6了 现在的Visual Studio 2012 (11.0) RC
回6L：是RC的R发热太严重了 其它元件均无发热现象回8L：不是这样的 亮度可以通过加盐类调节回10L：这种UU磁芯 不管工艺和大小如何 漏感都很大要想让它出大功率 必须走两条线： ①压尖峰 ②软开关