继续上图，请勿插楼

开始加热。。。。。。

工作总结：
单管可以取得好的加热效果，但电路设计一定要留很大余量，否则烧毁零件不商量。
电源要带有短路保护功能。
IGBT推动电路一定要足够强劲，否则在高频率高功率下驱动波形会很难看并可能烧毁模块。
线圈尽可能水冷却，否则铜管会被烤变色或冒烟，我这套电路即使开启大约3分钟，冷却水基本就会烧开，IGBT模块温度也有50度以上，电容温度40以上，回头我用热成像仪再上几张图片。
随着加热温度的提升，LC谐振回路的频率会有改变，幅度不大，需要调整，否则电流增大，效率降低，但所谓居里温度点好似没有什么影响，1000度肯定超过居里点了。

上一张本人头像

省得以后大伙看到连招呼也不打

感应加热不止能够加热钢铁，对于金属物件都有加热效果，但效率不同。改天实验铜件。

回32楼，是云母片
回33楼，水冷系统我也不满意，但限于条件目前只能如此，回头找个散热水箱装上，现在动不动就把水烧开，但即使如此，也比没有装的时候好很多，铜管不至于烧变色，接点焊锡不至于烧化。另外IGBT发热量也不容忽视，工作2分钟，散热片温度就超过70度，目前还没有找到发热严重的原因，不能长时间工作。
回34楼，是单管并联谐振，没有阻抗变换，具体零件资料看图纸。

图纸中：
C1，C2，L1组成的谐振回路，当只安装C1，谐振在50多KHZ，这个频率对IGBT推动电路要求较高，推动电流比较大，再并联C2，频率降到30多KHZ，相对容易推动。当我再并联1个同样电容上去以后（也就是电容总容量为12UF），不知为何没找到谐振频率，在各频率下回路电流都比较大，IGBT发热严重，加热效果不好，然后就拆掉了，保留2个电容，共计8UF。
C3并联在IGBT CE极间，可以消除IGBT关断瞬间CE极上的一个尖脉冲。
R1，D1，C4组成一个IGBT保护电路，通过波形观察未发现实际作用，也许可以省略掉。
C5，C6，C7，L2是滤波电路，可以适度保护开关电源，其中C6，C7非常关键，需用内阻小的无感薄膜电容，实际使用中电容的充放电很明显，以至于接近6平方mm的引线都很快发热。
电源当然电压越高效果越好，为了安全，改用60V，50A调压，限流调整的电源供电。

改造内容主要是水冷部分增加一个风冷散热水排，可以高效率的冷却冷却水的温度。
增加2组温度显示控制装置，用于监视IGBT散热片和冷却水温，在温度超过设定值时停机保护，提供整机发热状态参数。加热件因为温度过高并且不好直接测量，还是使用红外温度计。
把以前散乱的装置安装到一块固定板上，便于挪动。
其他部分变化不大，电路改动小。