两天前 试制了半桥谐振行包
无奈行包次级电容太小 等效桥的输出端子阻抗Z非常大
就算加大母线电压到300V DC功率也只能达到小的可怜的200W左右
况且人懒了 不愿做阻抗匹配

遂寻找新的电源制作方案

回到理性的思考中：
行包在正常工作中是作为反激变压器来使用的 反激式开关拓扑输出功率恰恰和磁芯所能储存能量有关
一个开关周期内能储存的能量①W=1/2*I^2*L ②P=WF→③P=1/2*I^2*L *F
而对于普通高频磁芯这种低导磁率的磁性材料 达到大电感和高频情况下工作是很困难的
这也是反激式作为小功率开关电源拓扑的原因
（典型反激D极电压波形）

在本帖行包驱动电路使用的半桥拓扑作为一种双磁象限往复式工作的拓扑 可以归类于正激拓扑其中的一种  
在正激电路中 磁芯只是作为传递能量的媒介 这非常美妙的意味着只要△B够大 就能在一个开关周期内传递最大的能量 达到最高输出功率
（磁滞回曲线）
提高△B的方法可以是减小Br和加大Bm
而给磁芯加上适当的气隙可以拉开这两个参数间的距离
达到了大大增加△B的目的

而加上了气隙 虽然△B大大增加了 但是随即带来的一个很大的问题就是
磁路外泄带来的漏感是无论怎么把线圈绕制工艺做好都无法消除的
漏感即等效于串联在初级的一个电感 能量不传递到次级
而这个漏感储存的能量在开关管关断的一瞬间 能量会在几百个nS中释放 形成的瞬间高压即称作尖峰
在U的输入电压下 漏感造成的尖峰很有可能达到几个U甚至十几个U的电压 这种尖峰加到开关管两端 往往带来的后果是直接击穿烧毁开关管

消除尖峰的方法走两条线：
①吸收尖峰能量
②软开关

最初的制作中我选择了第二条线
我把一个0.15μF 1600V规格的CDE电容作为谐振电容 串联在行包初级
使用了现代桥类软开关电源拓扑中非常先进的LLC控制方式
分别得到了210Khz/105Khz的自身振荡频率和驱动信号频率
虽然电路成功的实现了软开关 整体功耗非常小 但是无奈由于阻抗不匹配 功率也限制在300W以下
由于手头条件有限 遂放弃了这种控制方式而转向第一条线

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首先作为PWM控制需要一块能分别调节输出频率和占空比的驱动器
我同样选择了这块我一直在使用的Black出品的驱动电路

该电路使用TL494这款成熟的开关电源芯片作为核心 占空比和频率可调 有30A最大输出的驱动能力
这为减小开关损耗带来了很好的先决条件

而同样重要的半桥 我用了我信任的一款IGBT - 40N60A4作为开关管

在GDT连接开关管之后 驱动波形如图

可以看见上升沿迅速 下降沿干脆利落
驱动板最大高达30A的输出能力为这一对昂贵的开关管安全通断在100Khz以上带来了保障

确认连接好系统之后 同样是低压上电 检测电路整体正确性

非常值得注意的是 作为专业化的开关电源拓扑和论坛中流行的“ZVS电路”相比
高压包初级线圈是一个整体 我仅仅使用了最大耐流5A的铝多股线作为初级线圈
实际工作中 整个系统基本上是可以无限时的工作 因为半桥可以做到完全无发热 初级线圈也是一样的