slof：“IGBT导通后，可控硅再导通已经是多此一举。”
事实上IGBT是给多级线圈公用的，在电路里必须IGBT先导通，可控硅后导通，怎么能是多此一举呢。
至于驱动电路简单的问题，本图只是一个思路，呵呵
事实上IGBT是给多级线圈公用的，在电路里必须IGBT先导通，可控硅后导通，怎么能是多此一举呢。
至于驱动电路简单的问题，本图只是一个思路，呵呵
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可控硅的IGBT复用关断法
常用两种控制方案的优缺点：
1：可控硅
过载能力强，瞬间电流通常能达到额定电流的10倍。
价格便宜，对于450V300A的控制5元左右的产品即可胜任。
缺点就是关断电路复杂了。
2：IGBT
关断实施容易，控制电路简单。
过流能力差，一般在额定值的4倍左右，进行450V300A的控制则需要15元至20元价位的产品。
综合两种方案的优缺点，提出可控硅和IGBT共用的电路结构；![电路.jpg]()
在多级加速的情况下，可以显著降低成本。
请各位品评。
1：可控硅
过载能力强，瞬间电流通常能达到额定电流的10倍。
价格便宜，对于450V300A的控制5元左右的产品即可胜任。
缺点就是关断电路复杂了。
2：IGBT
关断实施容易，控制电路简单。
过流能力差，一般在额定值的4倍左右，进行450V300A的控制则需要15元至20元价位的产品。
综合两种方案的优缺点，提出可控硅和IGBT共用的电路结构；
在多级加速的情况下，可以显著降低成本。
请各位品评。
当然要有一个管承受大电流高电压，就靠它来关断呢。
总比每个线圈都用一个IGBT经济的多。
总比每个线圈都用一个IGBT经济的多。
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在多级发射的整个过程中IGBT开关一次，IGBT的关断只发生在最后一级发射结束。
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如果你不自信琢磨一下，认为这个电路是错的，再讨论也没有意义。
做到10级以上的时候是用一个IGBT还是用N个，优势就很明显了。
做到10级以上的时候是用一个IGBT还是用N个，优势就很明显了。
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