深入学习高频脉冲变压器的设计
                                   深入学习高频脉冲变压器GDT的设计
但凡真正的KC人,都有不同程度的偏执,对一个问题不摸到根源绝不罢手—ehco


    脉冲变压器属于高频变压器的范畴,与普通高频变压器工况有别。脉冲变压器要求输出波形能严格还原输入波形,前后沿陡峭,平顶斜降小。
    在众多的制作实践中,随处可见脉冲变压器的身影。例如DRSSTC中的全桥驱动GDT(Gate Driving Transformers门极驱动变压器),感应加热电路中的GDT等等,相信KCer对其功能和重要性都有一定了解。但谈到如何具体设计一个符合规格的脉冲变压器,相信也还有不少人停留在简单的匝比计算或是经验设计层面,没有深入地研究。每每遇到磁芯的选择,匝数、线材的确定时,都无从下手。本文针对这些问题,在高压版black、ry7740kptv、山猫等大神的鼓舞下,将本人的学习心得形成图文与大家分享,旨在抛砖引玉。因本人水平有限,如若存在错漏,望斧正为谢。
    下面从一个简易的GDT驱动电路说起
电路2.jpg
     上图中,T1为脉冲变压器,当初级(左侧)为上正下负时,右侧输出上正下负信号,该信号通过D3、D4、C23、RG,给IGBT的Cge充电,当充电电压达到VGE(ON)时IGBT的C、E开通,并且C23充电,C23的充电电压被D5钳制在8V。当T1输入为上负下正时,D3反向截止,T1的输出被阻断。在R15偏置电阻提供的偏流下,C23存储的电压构成反偏,迅速抽干Cge存储的电荷,使IGBT快速关断。
    那么,根据实测值或相关厂商数据,有以下已知数据。
1、IGBT型号:IKW50N60T
2、开关频率fs:50KHz
3、栅极正偏电压+VGE:+15V
4、栅极反偏电压-VGE:-8V
5、脉冲变压器初级侧驱动电压:+24V
6、单个IGBT驱动电压占空比D:0.46
7、栅极电阻RG:10Ω
8、IGBT管内栅极电阻Rg:0Ω
9、三极管饱和压降:Vces=0.3V
10、二极管压降:VDF=0.55V
11、GDT效率η:90%

一、计算IGBT驱动所需的峰值电流IGPK
IGPK=(+VGE-(-VGE))/RG+Rg=23/(10+0)=2.3A

二、计算次级电流有效值Isrms
Isrms=IGPK D^0.5=2.3×0.68=1.56A

三、计算次级单个绕组输出功率Ps
Ps=VsIsrms=(+VGE+VDF+(RG+Rg)Isrms)Isrms
=(+15+0.5+(10+0)×1.56)×1.56=48.5W

四、计算初级输入功率PT,因为该电路中,一个变压器含2个相同的输出绕组,所以
Pi=2Ps/η=2×48.5/0.9=107.8W

五、计算脉冲变压器初、次级总功率Pr。(注意,根据变压器功率守恒,总功率等于输入功率等于输出功率,但这里计算总功率是为了计算线圈占据的空间或窗口面积使用,不要混淆了)
PT=2Ps+Pi=2×48.5+107.8=203.8W

六、计算GDT所用磁芯尺寸
磁芯尺寸用Ap来表示,Ap=AwAe,其中Aw为磁芯窗口面积,Ae为磁芯有效截面积。根据磁芯选择的条件,该电路使用PC40锰锌软磁铁氧体材质的G型磁罐,以提高脉冲响应带宽,减少磁泄露。
结构常数.jpg

磁芯参数.jpg

如上表,允许温升为25℃时,磁罐的电流密度系数Kj=433,结构常数X=-0.17。对于PC40材质,查得饱和磁通密度为Bmsat≈560mT=0.52T
当f<50kHz时,   Bmax=0.5Bmsat
当f<100kHz时,  Bmax=0.4Bmsat
当f<500kHz时,  Bmax=0.25Bmsat
当f<1MHz时,  Bmax=0.1Bmsat
那么本电路中设计工作频率为50KHz,而且磁芯为单象限工作,所以取工作磁通密度Bw=Bmax=0.4Bmsat=0.4×0.52T=0.208T
根据磁芯尺寸计算公式
Ap=(PT×10^4/K0KffsBwKj)^(1/1+X)
得出Ap=0.217cm4,那么,只要所选的磁芯Aw与Ae的乘积低于Ap 0.217cm4即可。下面来看磁芯选型表,下表是P型磁罐的参数(找不到G型的,P型类似),对于EE,EI,磁环等磁芯的选型见附表。

attachment icon PC40磁芯参数.rar 1.58MB RAR 236次下载

   磁罐选型.jpg
从上表参数计算得出,P23/18磁罐的Ap=0.36cm4,P23/18的Ap为0.18cm4,因此选用与P23/18尺寸接近的G22/13磁芯。

七、计算初级绕组匝数Np
Np=Vin×10^4/4BWfsAe=24×10E4/(4×0.21×50×10^3×0.58)=9.85T 为避免低频时饱和,取Np=15T

八、计算次级绕组匝数Ns
Ns=(+VGE+VDF+RG Isrms)Np/(Vin-Vces)注:这里的Vces为初级驱动图腾三极管的饱和压降,如果采用MOS图腾,则为0.
Ns=(15+0.55+10×1.56)×12/(24-0)=19.5T 此处取20T

九、计算脉冲变压器初级电流有效值Iprms
Iprms=(Ns/Np)Isrms=(20/15)×1.56=2.08A

十、计算电流密度J
J=KjApX=433×0.58-0.17=475A/cm2
取J=4.5A/mm2

十一、计算脉冲变压器初级、次级绕组线径dp、ds及截面积Sp、Ss
dp=1.13(Iprms/J)0.5=0.77mm
Sp=0.785dp2=0.465mm2

ds=1.13(Isrms/J)0.5=0.67mm
Ss=0.785dp2=0.352mm2

十二、线材的选择
为减小高频电流趋肤效应对铜芯有效截面积的损耗,这里选用涤纶外层包裹的0.1mm多股漆包线绕制,单芯截面积为0.00785mm2,那么初级线圈应选用(0.465/0.00785)=59股,这里取60股的绞合线;次级线圈应选用(0.352/0.00785)=44.8股,这里取40或50股的绞合线。

至此,一个符合规格的GDT已设计完成。

最后,再谈一谈脉冲变压器容易出现的一些问题。一是边沿振铃,这个现象主要是因为变压器绕制工艺造成的漏感,以及PCB布线的等效电感与容性负载发生高频高频阻尼谐振而产生;二是边沿过冲,主要是由于变压器漏感在快速关断的情况下,电流不连续导致的瞬间自感高压。因此对于脉冲变压器应该尽量减小漏感的存在,可以采取以下几种方法。
一、采用高磁导率的磁芯,例如锰锌铁氧体,镍锌铁氧体(1M以上适用),磁导率越高,匝数恒定的情况下,可以获得更高的励磁电感Lm,能有效减小信号的平顶斜降;
二、采用磁路闭合程度高的磁芯结构,例如G型磁罐、磁环等,磁路闭合好,不仅可以屏蔽自身对外界的干扰和外界对自身的干扰,还能有效地减小漏感,从而减小过冲和振铃。
三、初、次级线圈应并绕,尽量减小分布电容
四、脉冲变压器的输出引线应尽量缩短,一般少于10mm。而且同一绕组的两根输出引线应该尽量靠近或双绞引出磁芯。
五、连接脉冲变压器的PCB走线应尽量短,PCB走线不应该靠近磁芯部分,避免生成1T电感。
六、根据脉冲变压器的传输特性,可知信号传输过程中的平顶斜降为△=(Ton/Lm)(RL″)×100%,Ton为高电平持续时间,Lm为初级励磁电感(次级开路时初级的电感量),RL″为次级负载等效到初级后的阻抗与驱动图腾输出阻抗的并联值。由此可知,减小驱动电路的内阻(将三极管图腾换为MOS图腾)和增加初级绕组匝数能有效减小平顶斜降。
+20  科创币    坚持and突破    2012/09/06 好多东,学习了!
+100  科创币    y2k    2012/09/06 必需加分,
+20  科创币    科学人    2012/09/06
+25  科创币    粤语残片    2012/09/06 高质量发帖
+200  科创币    金坷居士    2012/09/06 必须支持啊
+1  科创币    孙在雷    2012/09/06 对我来说很深奥,但以后会弄明白的。
+25  科创币    systemroot    2012/09/07 好贴片子,必需加分!
+50  科创币    清纯小萝莉    2012/09/07
+9  科创币    乖糖糖    2012/09/07 支持&nbsp;&nbsp;话说老大你不理我
+200  科创币    任某人    2012/09/08 神贴必须顶。。表示磁芯资料不好找啊啊。。
+25  科创币    23323    2012/09/08 高质量发帖
+11  科创币    彼岸江山    2012/09/11 -
+1  学术分    虎哥    2012/09/06 学术分什么的对你已是浮云了。。
来自:电子信息 / 电子技术
63
 
1
坚持and突破
10年0个月前
1楼
好东西,学习了!
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black
10年0个月前
2楼
E局的教程总是这么严谨专业而又条理清晰啊!
这样就能把一些专业书籍上生涩的理论化成实用的计算公式 功德无量啊![s:274]

从技术角度上 E局也告诉我们GDT变压器磁芯不一定要一成不变的使用磁环
也可以是另外一些导磁率高 闭合磁路短的类似磁罐等 磁性材料 同样能收得很好的效果

另外搭车送上之前自己一直用的LINK
XXXXXXXXXXXXXXXXXXX/XXXXXXXXp/GDT
+200
科创币
ehco
2012-09-06
感谢b老湿悉心教导俺AD9使用,这个计算软件我有意编写。
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金坷居士
10年0个月前
3楼
看到楼主分析的如此之透彻,我深感佩服
实话说我玩开关电源这么就那个驱动变压器(GDT)一直都是靠经验来弄的 真是感到惭愧啊
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改装pcp
10年0个月前
4楼
好的脉冲变压器是电子艺术品,工艺做好不容易呀。全桥的话四光偶四独立供电设计容易得多了。
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ehco作者
10年0个月前
5楼
回 4楼(改装pcp) 的帖子
光耦与脉冲变压器相比,只有一项胜出,就是驱动占空比可以超过0.5,因此一般只用在BUCK等超宽PWM电路或SPWM后级。
其余方面,响应速度不及磁芯,输出功率不及磁芯,工作带宽不及磁芯,整体成本高于磁芯,电路复杂,辅助电源多。
脉冲变压器有驱动侧直通保护功能,能1拖4,更重要的是可靠性高出光耦电路不是几个数量级的问题。
众多弊端限制了光耦的运用。
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改装pcp
10年0个月前
6楼
回 5楼(ehco) 的帖子
光偶可靠性怎么不高?变频器怎么用那么多光偶?还有那些工业用的逆变式感应加热设备也多用光偶呀,
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systemroot
10年0个月前
7楼
好贴片子,必需加分!
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ehco作者
10年0个月前
8楼
回 6楼(改装pcp) 的帖子
电路复杂度与稳定性的关系您应该知道,没说不能用,各有千秋,看如何权衡罢了。工业感应加热,除开驱动板远离功率板的要用光纤来传输,并未见大量光耦运用,复杂一些的,下本一些的,一般都用EXB841等驱动器,但40KHz的频率仍然是瓶颈。
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hanbreen
10年0个月前
9楼
回 楼主(ehco) 的帖子
次级有效电流1.56安?单个次级功率48.5瓦?!!!别把人教坏了哦!
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ehco作者
10年0个月前
10楼
回 9楼(hanbreen) 的帖子
你以为是开玩笑的啊,三菱CM 1200V系列IGBT砖头
75A的IGPK就是1A,150A的IGPK是2A,300A的IGPK是4A

如果计算环节有错,请正面指出,鄙视阴阳怪调的口气!
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hanbreen
10年0个月前
11楼
回 10楼(ehco) 的帖子
不要误会,我没有恶意,但是你的计算确实错得太离谱。如果依你的计算结果来算的话,IGBT的GE(或MOSFET的GS)就是短路的,实际大家应该都知道GE或GS是一个电容。需要的驱动功率应该是每周期的驱动能量乘以频率。也就是说驱动功率和驱动电压,GE结电容,驱动频率有关。举个例子:三菱CM200HA-24H的IGBT,200A1200V,规格书上GE电容是40n F,假如驱动频率50K(实际这个工作在50K硬开关的频率上很困难,一般20K左右),驱动电压15V,不考虑关断负压。每周期需要的驱动能量是15V的平方乘以40纳法,再除以2,结果是4.5微焦耳,再乘以50KHZ,一秒钟需要的能量就是0.225焦耳,驱动功率就是0.225瓦。当然这只是在GE结电容上损耗的功率,考虑GE串联电阻和电路其他部分,实际功率会略大,所以驱动IGBT或MOSFET需要的功率其实很小的,用很小的变压器就够了。还有,驱动峰值电流决定IGBT的开关速度,并不是多大的IGBT一定要用多大的驱动电流。
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jrcsh
10年0个月前
12楼
对于ehco神作~~~~尔等无需思考~~~盲目从拜就对了~~~~~ [s:274]
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woowoowoowo
10年0个月前
13楼
如此文章真是解渴呀[s:274]
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frival
10年0个月前
14楼
学习了![s:227]
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black
10年0个月前
15楼
回 11楼(hanbreen) 的帖子
你那算出来的是平均功率
请考虑标准上升时间(risetime)
一般做DR得考虑如何把这个时间控制在百ns的数量级上
楼主算一下在这段时间内把结电容从-15V拉到+15V需要的最大电流吧[s:216]
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hanbreen
10年0个月前
16楼
回 15楼(black) 的帖子
上升时间对驱动功率影响很小。上升时间在图腾柱和驱动变压器确定了的情况下,主要由栅极串联电阻决定,也就是驱动峰值电流决定,电阻越小,峰值电流越大,上升越快。一般做开关电源的都是通过改栅极电阻来改上升和下降时间,也就是改管子的开关速度。想要上升时间快,只减小栅极电阻是不够的,前提是图腾柱能提供的峰值电流要足够大,驱动变压器的漏感要足够小。一般环形磁芯的变压器漏感比较小。开关电源中的开关管并不是开关速度越快越好,还要考虑其他问题,最主要的是EMI。
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black
10年0个月前
17楼
回 16楼(hanbreen) 的帖子
我首先把你的话说开 EMI是兼容性要求
而上升时间是技术要求 可以分开来说

而且你把话题说偏了 从最开始你就说上升时间可以通过改变栅极电阻改变 这一点毋庸否认
但是GDT本身的驱动功率很大程度上影响着上升时间
只有GDT本身有较大的功率容量 才有可能提供很短的上升时间 而改变栅极电阻改变上升时间是建立在这个基础之上的
举个很简单的例子 一套固定的驱动系统 本身只能提供300nS的上升 你再怎么调电阻也不可能讲上升时间减小到300nS以下

所以GDT功率太小随之而来的就是功率管开通时间的加长 带来的后果就是开关损耗的增加
所以你后面的话 并不能辅证你的言论

你说到的电磁兼容性问题 可以通过各种屏蔽手段达到检验要求
而判定电源好坏最本质的还是转换效率 输出稳定度 等 一些基本特性 所以为了达到电磁兼容性要求而牺牲效率是非常不明智的
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任某人
10年0个月前
18楼
神贴必须顶。。表示磁芯资料不好找啊啊。。
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hanbreen
10年0个月前
19楼
我已经说得很清楚了,“上升时间在图腾柱和驱动变压器确定了的情况下”,意思就是其他因素决定了的情况下。“想要上升时间快,只减小栅极电阻是不够的,前提是图腾柱能提供的峰值电流要足够大,驱动变压器的漏感要足够小"意思就是驱动功率足够大。
你没做过开关电源,肯定不知道,有时候为了减小干扰,不得不减慢开关速度,牺牲效率来照顾EMI,因为EMI过不了,你的产品就过不了认证,过不了认证就买不出去。屏蔽并不能解决所有干扰。
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joyeep
10年0个月前
20楼
大家讨论是好,好的也是要兼并。

关于EMI问题,我想说说,我们最近一个嵌入式系统需要做防爆认证,拿到防爆规则后大失所望。很多我们看来合格的设计完全是错的。
于是我们重新设计电路,选择元件,改动超过40%。然后电路图拿去机构验收,又被打回,直到多次修改电路和软件后,才通过;

我想说的是,业余情况下不可过于追求一些规范。技术探讨优先。
如果是做产品,那就另当别论了。
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qqwintian
10年0个月前
21楼
我这段时间的工作就是给单位研发一款IGBT驱动器,前段时间还去做双脉冲测试,1600A的IGBT,说炸就炸,哎。

额……今天随便逛,看到楼主的帖子,额……
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ehco作者
10年0个月前
22楼
0.23W的功率来推砖头,坐等悲剧吧。工程计算中,都是将Cgs等效为短路计算。此贴见仁见智吧。
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joyeep
10年0个月前
23楼
回 22楼(ehco) 的帖子
一次在油田上拆电机变频器的时候,发现驱动300A IGBT模块的辅助电源,2路供电的。每路功率才6W。变频器是西门子的。
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ehco作者
10年0个月前
24楼
回 23楼(joyeep) 的帖子
平均功率是不大,我推4个砖,24V电源,因为有滤波电容储能,也才1.5A的总电流,但是峰值是很巨大的,而GDT必须能稳稳地传输这个峰值功率。
话说怎么都理解偏了呢,IGBT毕竟是电压控制型元件。
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black
10年0个月前
25楼
回 19楼(hanbreen) 的帖子
我真是奇怪了啊
最开始你在回帖中说驱动功率只要零点几W 我来反驳你这个观点
到后面怎么变成你占有“意思就是驱动功率足够大”这个论点了?什么时候我的论点变成你的了?

另外这不是电源网 一个观点自己说不出理了就拿资历压人 这种人我见得多了
我不和你争论谁做没做过开关电源 我只知道你做过开关电源并不代表你是对的 这个对我来说也是一样
我不否认专业设计中电磁兼容性的重要 天天都有一大堆抱怨欧美电源标准的工程师 实际上要把电源设计成符合电磁兼容标准也是一门学问
但是这并不能成为你用那种频率X周期能量计算GDT磁芯功率方法错误的保护伞
我不说你没做过DR 我就理论事

GDT功率大了 就会导致过大的EMP?所以导致的观点就是为了降低EMP用0.23W驱动IGBT brick?太荒谬了
GDT平均功率本来就不大 但是为了缩短开关损耗 必须减小rise/fall time 这需要前级驱动和GDT磁芯本身有大的功率容量
而需要GDT稳定传输这个峰值功率 ehco在上面帖子中也已经说过了
这个参数在电源中也许仅仅影响到效率
而在DR动辄几百A峰值的槽路电流是由开关管直接过零切换的 这个参数大了
由于存在信号传递电路的一系列固有延迟 IGBT的开通延迟 往往意味着软开关切换失败 导致的后果就不言而喻了

而普通一个DR4驱动 工作时候的驱动吸收功率稳定在20W左右 别忘了 DR的工作时间只有5%~10%左右
这个时候GDT传输的功率你掰掰手指就能算出来了
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ehco作者
10年0个月前
26楼
回 25楼(black) 的帖子
嘿嘿,b老湿淡定,莫气,人家驱动KA级的IGBT砖只用8050,8550对管+5x3x2mm的磁环即可,因为掺了金坷垃,哈哈。
+1
科创币
rb-sama
2012-09-09
金坷垃+1
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金坷居士
10年0个月前
27楼
回 6楼(改装pcp) 的帖子
变频器频率只有20K左右所以光耦仍可胜任
另外光耦可以做到比较大的占空比 GDT不行
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金坷居士
10年0个月前
28楼
我准备把本贴编写成软件~
+50
科创币
坚持and突破
2012-09-09
支持......
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金坷居士
10年0个月前
29楼
回 楼主(ehco) 的帖子

attachment icon GDT Designer.zip 4.41MB ZIP 205次下载
写了一些了
+200
科创币
ehco
2012-09-09
功德无量
+10
科创币
坚持and突破
2012-09-10
俺忘了夸一个人技术好又人品好的那个词儿叫什么来着......
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ehco作者
10年0个月前
30楼
回 29楼(金坷居士) 的帖子
建议GDT后级增加几个可选的电路,还有,俺叫ehco,不是Echo
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hanbreen
10年0个月前
31楼
回 25楼(black) 的帖子
我是说了驱动功率要足够大,但我只是说驱动电路要能输出足够大的功率(希望你能理解这个”足够大“,只是“相对”足够大。)并没有说驱动电路一定要输出那么大的功率。以你的理解能力(不要误会,我不是小看你),我不想说太多,我做的1500W带PFC的电源,60KHZ的频率,全桥四个管子,全部用变压器驱动的,满载90%效率,最高效率93%,驱动部分12V供电,供电电流只有100毫安多一点。驱动变压器是两个EE16.
+1
科创币
坚持and突破
2012-09-10
我是外行,看大家讨论也增长知识。话说的做的移相全桥也是用4个EE16磁芯驱动4个IRFP3205。100KHZ波形还行!
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hanbreen
10年0个月前
32楼
回 26楼(ehco) 的帖子
KA级的我没用过,我驱动过西门康300A1200V的,用的光耦驱动(光耦集成在驱动模块内部),用24V的主电源产生一组正15V负9V的电源给模块供电。24V电流也就一百多毫安,而且这一百多毫安里大部分都是正负电源产生电路耗掉了。实际用于驱动IGBT电路的不到1W。
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hanbreen
10年0个月前
33楼
最后再说一点废话,这里是论坛,是讨论问题的地方,别人说的对,我也能从中学习,说的不对,我也可以帮助别人指正,我说我做过电源,只是相让别人对我有所信任,并不是拿资历压人。如果有人非要往歪处想,我可以闭口不言。
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量子隧道
10年0个月前
34楼
引用第22楼ehco于2012-09-09 00:35发表的  :
0.23W的功率来推砖头,坐等悲剧吧。工程计算中,都是将Cgs等效为短路计算。此贴见仁见智吧。

磁性材料的应用,对我来说是个空白。等将来有需求了,还真得好好学习下。
将Cgs等效为短路计算,我感觉是有道理的。
我理解,这是因为,在IGBT导通过程中(此过程只占Vgs上升沿中的一小部分),Vds下降,通过密勒电容强力下压G级电压,此种下压的能力超强(密勒电容被等效放大很多倍)。
在此一小段时间内,Vgs其实变化很小,但是电流必须要持续注入,以克服密勒电容的充电。所以对于驱动电路来说,和驱动0欧姆负载差不多。
等越过这个区域后,驱动Cgs就变得轻松了。此时只需驱动Cgs这个电容即可。
有兴趣的同学可以观察下G级波形。驱动能力差的电路,G级波形在上升沿某个地方都有个台阶甚至回钩。这是驱动不足的表现。
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1
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立棍
10年0个月前
35楼
网上还有发烧音频变压器绕制方法。 多层多段,平行并绕等方法。 应该也能改善时域特性吧。
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坚持and突破
10年0个月前
36楼
我是外行,看大家讨论也增长知识。话说我做的移相全桥也是用4个EE16磁芯驱动4个IRFP3205。100KHZ波形还行!
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hanbreen
10年0个月前
37楼
回36楼:
如果不考虑绕线方便和绝缘问题,还可以更小。前段时间看过美国INTERSIL公司一个600W的电源评估板,全桥电路两个驱动变压器,每一个长宽不到一厘米,高度5毫米左右,频率200KHZ。
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金坷居士
10年0个月前
38楼
回 36楼(坚持and突破) 的帖子
IRFP3205是何方神圣啊
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金坷居士
10年0个月前
39楼
回 30楼(ehco) 的帖子
我发现你这个是单GDT推单管的

另外软件快写完了
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ehco作者
10年0个月前
40楼
回 39楼(金坷居士) 的帖子
一拖几那是你自己的事额,只要窗口绕得下,原理是一样的
下面这就是我最新版感应加热的驱动级 2拖4结构
图像.jpg
+5
科创币
坚持and突破
2012-09-10
好复杂啊。期待你的作品!
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金坷居士
10年0个月前
41楼
回 40楼(ehco) 的帖子
看来我的软件需要增加一个电路选择的功能了
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坚持and突破
10年0个月前
42楼
Re:回 36楼(坚持and突破) 的帖子
引用第38楼金坷居士于2012-09-10 19:51发表的 回 36楼(坚持and突破) 的帖子 :
IRFP3205是何方神圣啊




哈哈,打错字了......
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坚持and突破
10年0个月前
43楼
好复杂啊。期待你的作品!
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金坷居士
10年0个月前
44楼
回 42楼(坚持and突破) 的帖子
你害得我去查PDF了 [s:226]
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金坷居士
10年0个月前
45楼
回 43楼(坚持and突破) 的帖子
这几天把原来做的3525硬开半桥拿出来测测波形,估计得吓一跳.....
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金坷居士
10年0个月前
46楼
回 40楼(ehco) 的帖子
再发个测试版 编写70%了

attachment icon GDTD.zip 594.97KB ZIP 162次下载
做成向导的样子 好用 不容易乱
+200
科创币
ehco
2012-09-11
小翠同学深得要义啊!
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金坷居士
10年0个月前
47楼
回 40楼(ehco) 的帖子
刚才修了修必优记(bug)....
Windows版

attachment icon GDTD.zip 664.47KB ZIP 243次下载
Mac版

attachment icon GDTD_Mac.zip 6.38MB ZIP 116次下载
这是本人根据本贴所述的设计方法编写的GDT设计软件,帮助各位坛友快速准确设计GDT参数,告别经验设计时代!
本软件为向导形式,总共10步,用户在清晰的引导下可以很容易地设计出符合要求的作品.
在最后一页,GDT的绕组参数有详细的说明,并且给出示例电路图供参考.

最好能帮忙贴内提前一下 让大家能够下载
+200
科创币
ehco
2012-09-11
感谢您的无私奉献,话说程序界面很漂亮啊!
+50
科创币
yz710804695
2012-09-14
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ehco作者
10年0个月前
48楼
感谢您的无私奉献,话说程序界面很漂亮啊!
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金坷居士
9年11个月前
49楼
回 47楼(金坷居士) 的帖子
据说lazarus的源码可以编译成Mac机、Linux甚至安卓上的软件,哪位帮我试试?
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wuji386
9年11个月前
50楼
好东西,感谢您的无私奉献,学习了!
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