[连载]EP-65:一台高压电磁发射器是如何炼成的
WangGC2018/10/30电磁炮 IP:北京
引言

初入坑电炮时曾受@Ma3.02的守望YB-5的影响,计划做一台能够实用化、便携、性能优异的电炮,但因为对整个设计过程不甚了解,迟迟没有动手。后来在和@三水合番交流后得到很大鼓励,加之一段时间的学习中已经基本有了一些思路,遂下定决心,开始了EP60-EP65(EP为我的命名习惯,不代表一共有65个版本)工程。

预计的设计指标

由于走的是“实用、便携、性能优异可靠”的路线,也困于没有时间和设备加工,所以整个加速系统的大部分机械部件都将使用可以便捷购买的标准件,只是在此基础上做一些简单加工。

整体电子学结构为光电检测,为了安全和系统稳定性驱动-功率(强弱电)全部光-电/电-磁隔离,这样哪怕只有一级能够正常工作,弹丸也可以被发射。控制部分有简单的人机交互程序,能够反馈基本情况以及根据操纵者指令更改运行情况。开关采用IGBT并管。

机械结构最终测试完成后使用6061铝合金及环氧板做框架和内部系统绝缘隔离

为了能把电磁发射的优点最大化,我将其设计为可以单发/连射的两种模式,并且会在之后尝试使用各种手段将有效射程及精准度提高。

一些基本参数(预计):

电源:22.5v 6s 6Ah 30c Li-ion电池

加速级数:14

电容组电压:450v

总储能1kJ-1.5kJ(由于有关断,所以非一次性全部消耗)

期待初速:110m/s+

弹丸:ø6mm*25mm GB-119 #45钢制圆柱

加速管材:内径6.2mm壁厚0.3mm不锈钢管

线圈线材线径:0.8mm高温铜线

射速上限:120Rpm

此次技术难点主要在电容充电和缩短延迟上

120Rpm的射速即0.5s/发,是一个较快的速度了,这意味着至多需在0.5s内使电容电压升高至设定发射电压(可由操作者更改,最终体现于弹丸动能),假设发射后电容余电为220v,储能1.5kJ,则升压器的净输出功率须高达约2282W,折算效率若为85%则需约2685W输入功率,这意味着电池和开关管要承受的瞬态电流为170A左右。

预计初速破百,也就是1ms的延迟对应10cm的误差,所以想要高效率,高初速,必须要控制好系统的延迟,并适当加大各级间距,若效果不理想,可以尝试光电-单片机混合控制以增加精度。

关于连载

由于是学生党,所以可能更新不会很频繁,制作过程也会时快时慢,一期目标为搭建整体构架并完成全部上电测试,时间6-8个月(可能会附加一些调试电源的时间),二期目标为编写控制系统和外形设计,包括供弹系统,约4个月。一期期间基本保持周更,二期为有进展后更新。整体过程可能耗时1年至2年。

最后

希望最终这个工程能够完成各项指标,欢迎各位一起交流探讨,轻喷也是可以的2333

致谢@三水合番@Ma3.02的守望@虎哥@金坷居士@坚持and突破以及@rb-sama的支持和指导

[修改于 5年7个月前 - 2019/04/01 21:17:47]

+1  科创币    rb-sama    2019/04/19 优秀的设计
来自:物理高能技术 / 电磁炮
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rb-sama
1个月19天前 修改于 1个月19天前 IP:湖北
936006
引用1027lone发表于53楼的内容
纯粹的直流的确是无法通过变压器,但是CCM,比如说开通时电感电流从5A升到10A,那开通时间内平均电...

NO 

反激CCM电流的底如果在I1=4A 顶是I2=10A,

那么4A的电感储能是一直储存在磁芯的,4-10A部分的电感储能才会被释放到次级负载

1/2*I1^2*Lpri-1/2*I2^2*Lpri =磁芯恒定储存的能量EL

换个说法,变压器作为储能载体,输入功率Pin+EL=Pout+EL这样才符合能量守恒定律,

-

进一步的,

为什么对于CCM初级和次级看起来电流中都有直流分量?难道不应该更低的峰值电流对应更高的积分

其实从Flyback的定义理解不难解开这种迷雾,

首先需要明确一个基础定义,Flyback的一切能量传输过程依赖于原边电压源给电感Lpri的励磁

对于CCM这种存在初始直流分量的拓扑,实际上在一个开关周期中,能量是没有得到完全释放的,

即使是在磁复位阶段,在磁芯中一直存在直流磁偏

-

/、和/\来代表电流上升和下降的过程,/、意味着迅速的磁复位,

我们来假设一个场景,对于一个可变的FLYBACK负载RL,输出电压VL会随RL变化而变化

定频定Ton恒压励磁,当电路处于DCM模式工作时,负载RL渐渐减小,这时候对功率的索取减小,

会发现DCM会渐渐变成了CCM,

image.png

在这丢一个仿真出来,可以复现我描述的这个过程,绿色是10R 褐色是100R

image.png

你会发现一个问题,对于同样情况下的变压器,CCM更高的峰值,更高的直流偏置

居然传递了比更低电流积分面积的DCM(图中已经接近BCM)更低的功率,看起来非常反直觉。

image.png

更进一步的,设置变压器的内阻10mR,可以仿真得出效率n=Pout/Pin

可以看到在负载电阻210R的位置效率曲线获得最大值,恰好此时电路工作于BCM临界模式,

这个结果和我之前的分析是吻合的,BCM比起CCM和DCM,

因为没有能量环流和过高峰值电路损耗在内阻上,BCM可以让反激变压器达到最佳利用率

模型里面忽略了磁损,实际上最大效率点会取在向DCM区偏移一点,不继续展开了,不然还能说很多

attachment icon DCMVSCCM.asc 1.07KB ASC 2次下载

仿真文件放在这了,

-

这个问题迷惑性确实不小,甚至有一部分网上评论对于CCM和DCM的评论都说是错误的,

这里面的关键就是CCM意味着更低的负载电压,也就是磁复位不彻底的状态。

虽然看起来CCM的副边电流更大,直流也被传输过去,但这种状态下VL一定是更低的。

同样DCM模式下,虽然磁复位完全,相比BCM模式下会产生励磁空挡,其实也会降低利用率

但只遵循变压器只传输交流分量的基础定义,就不会在这件事上犯迷糊了,如果觉得对你有帮助点个赞把🤣

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WangGC作者
5年0个月前 IP:江苏
864849
咕咕咕 10月13日更新:完成了触发-驱动电路

最近正在忙另一个项目,很长时间没更新了...前天抽出时间把之前设计的电路搭建出来,在实体上做了一些抗干扰、电磁兼容的改进,修改了一些不合理的设计,现在全部驱动部分(从弹丸遮挡光电管到IGBT栅极电压上升至18v)延迟仅为约450nS,弹丸100m/s经过此段时间位移为十微米级,可以说符合设计要求了。

IMG_20191013_002934.jpg

图为测试电路

IMG_20191013_002816.jpg

IGBT G极波形,中间平台大概为比较器输出线性-饱和转换造成

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rb-sama
6年0个月前 IP:湖北
851868

能量回收这一块,可能会损耗较大。

之前考虑过ZOV电阻的方式,能把续流电压钳位在安全水平的同时,增加续流速度。

直接用二极管回馈到电容的方式都没有这么快。

对于总体能量利用率来说是糟糕的,对于单次发射电-动能转换效率是更好的。

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WangGC作者
6年0个月前 IP:北京
851787
线圈制作

为了加工工艺更简单,我使用如图两种标准件拼接成为线圈骨架

15409086352443421953608106498701.jpg

 这里有一个尴尬的地方是这种隔离柱内径只有8mm的,而加速管外径7mm,垫片和柱间也有1mm间隙,所以我使用uv胶粘接,这样便于定型。如图将其固定在缠有聚酰亚胺胶带的加速管上

15409088847192604534909544355917.jpg

然后就可以开始缠线圈,中途使用502或高温绝缘胶逐层固定,可以很快速的做出一个缠绕紧密的圆柱形线圈,最终在垫片上打孔将线引出,再缠胶带做绝缘和固定保护,完成。

15409090569953923564526137669776.jpg

 

15409090782184696716941049751939.jpg

 ps,我在加速管前端开了一个槽,用于之后供弹系统的组装,有人应该已经能猜到供弹系统的设计了

 

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三水合番
6年0个月前 IP:四川
851826

充电功率应该没必要预期到那么大的水平吧

毕竟对于14级加速到110m/s的有关断,特别是有能量回收的方案,效率打底也可以有5%了……对于预期的34J动能和120rpm射速,就只需要1.3kw多点的充电功率了

主观上感觉你这个其实完全可以按10%的效率估计…这样就只需要700W不到的充电功率了……


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WangGC作者
6年0个月前 IP:北京
851843
引用三水合番发表于2楼的内容
充电功率应该没必要预期到那么大的水平吧毕竟对于14级加速到110m/s的有关断,特别是有能量回收的方...

呃这个的数据我是用储能/时间算的功率,没用弹丸动能/效率/时间,那个速度只是一个期望值,没有任何参考价值

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WangGC作者
6年0个月前 修改于 5年9个月前 IP:北京
851844
引用三水合番发表于2楼的内容
充电功率应该没必要预期到那么大的水平吧毕竟对于14级加速到110m/s的有关断,特别是有能量回收的方...

刚才用您的办法稍微算了一下,150m/s,效率10%,需要1240w左右,看起来也不小。另外我设想了一种能量回收,应该是可行的,但是大幅增加复杂度

IMG_20181101_184002.jpg

然后问题还是精准的时序难以控制

前期我打算先用续流二极管串电阻,等系统稳定下来再优化效率

 

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rb-sama
6年0个月前 IP:湖北
851868

能量回收这一块,可能会损耗较大。

之前考虑过ZOV电阻的方式,能把续流电压钳位在安全水平的同时,增加续流速度。

直接用二极管回馈到电容的方式都没有这么快。

对于总体能量利用率来说是糟糕的,对于单次发射电-动能转换效率是更好的。

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WangGC作者
6年0个月前 IP:北京
851871
引用rb-sama发表于5楼的内容
能量回收这一块,可能会损耗较大。之前考虑过ZOV电阻的方式,能把续流电压钳位在安全水平的同时,增加续...

我实现打算前期直接R-D续流,回收的话打算以后专门来研究一下。本来能量回收也是提高续航降低单次充电功率这些作用,如果又大幅提高系统复杂度感觉不太值。其实我觉得能量回收这个事最好能直接回收到储能电容组,但是速度又成问题,现在比较可行不显著影响效率的只能是暂存后再变压。

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WangGC作者
6年0个月前 IP:北京
851872
引用rb-sama发表于5楼的内容
能量回收这一块,可能会损耗较大。之前考虑过ZOV电阻的方式,能把续流电压钳位在安全水平的同时,增加续...

用压敏电阻这办法听起来挺好的,导通前高阻值耗能,过电压后导通。之前一直是0.5欧水泥电阻还没用过这种,如果它的“线性区”足够宽的话应该是一种好方案,不知道连续频繁大电流导通会不会放炮,而且看外形不怎么好固定散热。

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三水合番
6年0个月前 IP:四川
851934

话说,如果楼主对于充电功率的要求很高的话……也许可以试试串联一堆电池,然后用buck/boost之类的直流拓扑搞电容充电😂变压比低的话,可以很容易的把电源的功率密度做到丧心病狂得高的程度

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WangGC作者
6年0个月前 IP:北京
851941
引用三水合番发表于8楼的内容
话说,如果楼主对于充电功率的要求很高的话……也许可以试试串联一堆电池,然后用buck/boost之类...

要求强弱电隔离...非隔离拓扑不能想了

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2SC1970
5年11个月前 IP:浙江
852289

楼主,你的线圈内径14,子弹直径才6mm,这效率是不是太低了点

我用模拟器算的6mm弹丸,10mm线圈内径比8.5mm线圈内径要损失1/3的速度(10mm4级达到8.5mm三级初速)

你这14*6...

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WangGC作者
5年11个月前 IP:北京
852290
引用2SC1970发表于10楼的内容
楼主,你的线圈内径14,子弹直径才6mm,这效率是不是太低了点我用模拟器算的6mm弹丸,10mm线圈...

....整个帖里有14这个数字的指标只有加速级数一个,0楼说了加速管内径6.2mm,哪里有“14mm的内径”...这样做也根本没道理啊

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WangGC作者
5年11个月前 修改于 5年9个月前 IP:内蒙古
852370
11月20日更新:隔离驱动电源电路

这几天把驱动IGBT的正负压隔离电源设计出来了,参数为in:22v-26v out:+18v 2A、-5v 2A,各路输出峰值电流3A,3842反激拓扑,电路图如下(因为只需要一套所以电路图手绘,用的试验板)

15427098944005015807145013327483.jpg

[均为理论设计还未实际测试,电路仅供参考]

 

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WangGC作者
5年9个月前 修改于 5年9个月前 IP:黑龙江
853931
2019.1.26更新:完成了驱动电源

近期因为其他的一些事情和临近期末一直没有更新,现在项目继续。

之前制作的驱动电源莫名无法启动,在排查布线和元件后无果,遂查uc3842资料,发现UVLO阈值在16v,而为了驱动MOSFET方便我用12v做芯片供电电压,此电压下uc3842触发UVLO,罢工。于是替换为同类型的3843,阈值约为8v,稍加调试后成功达到指标,在20欧,6欧电阻分别连接在18v,-5v输出时,纹波峰-峰只有60mv左右,电压稳定在17.4v以及-5v。

IMG_20190126_004758.jpg

 

IMG_20190126_003754.jpg

 图为带载测试波形

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OMEGAERJSH
5年8个月前 IP:黑龙江
854363

哥们,恕我直言,你确实厉害,不过这个做完恐怕得好大吧...

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WangGC作者
5年8个月前 IP:北京
854364
引用OMEGAERJSH发表于14楼的内容
哥们,恕我直言,你确实厉害,不过这个做完恐怕得好大吧...

事实上与坛内的各类作品大小差异不会很大,这里容易造成体积问题的是大功率升压模组,也是目前正在设计实验的,使用两副EE55作为变压器磁芯,开关频率已经达到300kHz,预计可以较大的压缩体积,其余部件均与正常无异。

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三水合番
5年8个月前 IP:黑龙江
854368
引用WangGC发表于15楼的内容
事实上与坛内的各类作品大小差异不会很大,这里容易造成体积问题的是大功率升压模组,也是目前正在设计实验...

要用两副ee55这么大的磁芯吗😲设计的功率是多大的?拓扑用的是哪种?

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WangGC作者
5年8个月前 修改于 5年8个月前 IP:北京
854374
引用三水合番发表于16楼的内容
要用两副ee55这么大的磁芯吗😲设计的功率是多大的?拓扑用的是哪种?

推挽拓扑,功率大概2、3kW左右,也是稳压恒流的控制环,现在驱动电路大概出来了,变压器比较头疼,准备用铜带绕

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xiaotian99
5年8个月前 IP:四川
855034

期待作品早日出来!

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WangGC作者
5年7个月前 修改于 5年7个月前 IP:黑龙江
856641
时隔已久的 2019-4-1更新

驱动电源PCB出厂,制成并调试了一套,经测试性能稳定,纹波稳定在60mv左右,符合设计指标。18v及-5v输出可各承受长时间高负荷(共计75w输出)工作以及至少十秒的输出短路,功率管温度低于60℃。至此驱动电源部分完成。

IMG_20190401_203736.jpg

 

IMG_20190401_203751.jpg

 驱动电源及输出波形


下一步是电容充电高压电源的研制,由于上文中的各项要求,初步计划使用“推挽正激”拓扑,可以在一个导通周期内同时利用两绕组,并且一定程度上避免了推挽的偏磁硬伤。相关论文已粘贴于下方,苦于反馈环设计相关知识匮乏,若有人有意合作或协助设计可以私信交流。

attachment icon 基于UC3846的推挽正激DC_DC变换器的设计_白志青.pdf 2.47MB PDF 159次下载 预览

 

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rb-sama
5年7个月前 IP:湖北
856653

建议用淘宝成品充电模块,避免造轮子。

节约时间精力做最重要的发射电路部分,

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WangGC作者
5年7个月前 修改于 5年7个月前 IP:黑龙江
856688
引用rb-sama发表于20楼的内容
建议用淘宝成品充电模块,避免造轮子。节约时间精力做最重要的发射电路部分,

谢谢您的建议。不过我的设想是制作一件性能优秀的整机而不只是加速部分,现成能够达到此功率的高效率升压模块我还没有找到,所以想要自己做。而这次实验了“正激推挽式电路”后我的设想是将它的设计流程开源,这样既能达到资源分享的目的,也能够筛除技术水平不足以致无法保证自身安全的盲目尝试人群。


目前我打算加速部分与升压电路并行推进,加速部分的电路已经出图了,还差样机的整体连接测试。

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314152
5年7个月前 IP:广东
856689
引用WangGC发表于21楼的内容
谢谢您的建议。不过我的设想是制作一件性能优秀的整机而不只是加速部分,现成能够达到此功率的高效率升压模...

感觉最好的办法莫过于先来一个带限压的ZVS,东西调的差不多了再做高性能升压模块,免得自己升压模块还没做玩,整个炮就鸽了😂

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WangGC作者
5年7个月前 修改于 5年7个月前 IP:黑龙江
856690
引用314152发表于22楼的内容
感觉最好的办法莫过于先来一个带限压的ZVS,东西调的差不多了再做高性能升压模块,免得自己升压模块还没...

嗯谢谢,现在也是这个想法。

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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857610
引用WangGC发表于21楼的内容
谢谢您的建议。不过我的设想是制作一件性能优秀的整机而不只是加速部分,现成能够达到此功率的高效率升压模...

嗯嗯,电容升压电路我原来也专门做过,然后做过一些商品化的模块。

总结的一些小小经验是:

ZVS是最简单而且鲁棒性比较强的充电器,在普通ZVS输出串联电容限流就可以对大电容安全充电。

但是缺点是效率低,

反激驱动的特点是续流电流仅与平均输入功率有关,也就是说与负载无关,电感在OFF周期是一个恒流源的作用,

这个特性对于电容来说,Q=CU关系中,可以让电容电压恒速上升,并且没有普通电容充电在低压段损耗巨大的现象。

我就用UC3843做过,这个效率很高,而且可以实现电压闭环,但是功率密度感人,

后来我发现了LT3751这款芯片,这款芯片有一个官方1200W的DEMOkit,而且体积还没有半个巴掌大。

它的特点就是让反激变压器工作在BCM(临界模式)下,这种模式可以压榨磁芯极限功率。

如果说CCM和DCM的缺点分别是单位功率小和峰值损耗大,那么BCM就是中间的黄金比例。能够让磁芯工作在磁饱和与完全复位的状态,

一个EFD30磁芯,可以输出KW级别的功率,2-3秒可以充满12000uF 450V电容,具体的电路原理和PCB Gerber作者有更新。

-

芯片比较贵,淘宝上样片价格23元左右,

attachment icon lt3751.pdf 636.09KB PDF 193次下载 预览

 资料非常清楚,芯片的功能一应俱全,对与轻重载,放电,环路稳定和布线参考都很详细,可以直接参考。

我曾经觉得价格高,用EPM240和两个电压比较器仿制过这个方案,虽然效果可以实现,但是成本远远超出了,所以我觉得还是很值。

微信图片_20190417212232.jpg

微信图片_20190417212227.jpg

以上是板子的外观,

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/1200w-flyback-driven-capacitor-charger/作者的website,里面有介绍和原理图。

 

 

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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857624
引用rb-sama发表于24楼的内容
嗯嗯,电容升压电路我原来也专门做过,然后做过一些商品化的模块。总结的一些小小经验是:ZVS是最简单而...

“BCM就是中间的黄金比例“这里,是有相应的理论推导证明BCM是最优的?还是说根据经验估计的?

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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857625
引用三水合番发表于25楼的内容
“BCM就是中间的黄金比例“这里,是有相应的理论推导证明BCM是最优的?还是说根据经验估计的?

问你个问题,反激电流包线乘时间乘电压是个什么量纲?

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WangGC作者
5年6个月前 IP:上海
857630
引用rb-sama发表于24楼的内容
嗯嗯,电容升压电路我原来也专门做过,然后做过一些商品化的模块。总结的一些小小经验是:ZVS是最简单而...

感谢B君推荐。看来我对于反激变换器的印象还停留在上世纪90年代...不知道这个高功率密度方案的器件温度会不会有问题,我会做一下实验。

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BSP
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:湖北
857631
引用rb-sama发表于26楼的内容
问你个问题,反激电流包线乘时间乘电压是个什么量纲?

焦耳?好吧,我随口胡诌的。

~拿红包~

1.88个kcb

+0.5
科创币
rb-sama
2019-04-21
正解,答案揭晓在下一页
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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857636
引用WangGC发表于27楼的内容
感谢B君推荐。看来我对于反激变换器的印象还停留在上世纪90年代...不知道这个高功率密度方案的器件温...

看这个DEMO完全没有散热片,连续工作肯定要加上的。

12.png

这个变压器我考察过,是线艺coilcraft的GA3460-BL,这个变压器的饱和电流能达到50A,电感量为2.5uH。

我还用铜带绕过这个变压器,实际做出来EDF25的磁芯,只能测出40A左右的饱和电流,漏感也比较大,工艺上其实已经很注意了。

好在淘宝上一个102元,可以直接拿来用,只要不超过功率,磁损和铜损是没问题的。

-

这样计算,一个周期就能transfer 0.003125Joule的能量,5.208uS就能上升到饱和,

如果按24V到450V 10:1变比计算,大约为2.5uS左右下降时间,在1S时间内计算出来就是405.8W的功率。

当然这是均衡状态,如果满功率运行,能出600W功率,不符合1200W的定义,计算方法是按电感能量公式推导的。

注意到这个帖子的作者是740W功率实测,考虑参数离散 Lm 2.25uH,和铜损、磁损带来的能量损耗,偏差其实也不是很大。

姑且认为他的测试数据是可信的把。

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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857638
引用rb-sama发表于26楼的内容
问你个问题,反激电流包线乘时间乘电压是个什么量纲?

emmm……我还以为你能用一层回复解决这个问题呢……

如果你要用这种形式讨论的话,建议另开一贴,要不这楼就歪了😂

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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857639
引用三水合番发表于30楼的内容
emmm……我还以为你能用一层回复解决这个问题呢……如果你要用这种形式讨论的话,建议另开一贴,要不这...

自己看LT官方的介绍

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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857642
引用rb-sama发表于31楼的内容
自己看LT官方的介绍

抱歉,以BCM为关键词,没能在ADI官网上(LT前年被ADI收购了)搜到“证明BCM是最优的理论推导”。如果你那有相关资料,可否分享一下?

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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857643
引用三水合番发表于32楼的内容
抱歉,以BCM为关键词,没能在ADI官网上(LT前年被ADI收购了)搜到“证明BCM是最优的理论推导...

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/cn/technical-articles/XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXml

The LT3751 operates in boundary-mode, between continuous conduction mode and discontinuous conduction mode. Boundary-mode operation allows for a relatively small transformer and an overall reduced PCB footprint. Boundary-mode also reduces large signal stability issues that could arise from using voltage-mode or PWM techniques.

多百度,百度不行Google,要多增加自己搜索文献解决问题的能力。

我并不是老师,没有义务解答你所有的为什么。

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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857645
引用rb-sama发表于33楼的内容
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/cn/technical-articles/dcdc-...

这又不是“证明BCM是最优的理论推导”😟 他只是提出了一个观点,但是并没有证明啊……总不能因为他们的文章贴在了ADI的网站上,就认为他们的内容“不言自明”得正确吧……

关于BCM,我试着在各个学术搜索上都搜过,有很多“我们做了什么”以及“我们怎么做的”内容。但是至于“为啥这个东西这么好以至于我们要做它”,却全都是压根不提,或者是写一句类似“BCM就是中间的黄金比例”这种,通过“讲道理”而不是“动手算”的方式来回答。真正算过这个问题的,还真是一个都没找到……所以才想请你分享一下相关资料的嘛。

其实这个问题很有意思,刚才我粗略的算了一下,结果是论变压器铜损,是DCM=BCM<CCM。如果把铁损和外部电路的损耗也考虑进来,还不知道结果会是啥样。等我啥时候有空了发篇帖子详细算一下这事😂


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rb-sama
5年6个月前 IP:湖北
857653
引用三水合番发表于34楼的内容
这又不是“证明BCM是最优的理论推导”😟 他只是提出了一个观点,但是并没有证明啊……总不能因为他们...

没兴趣看你错误的计算,我又没强求你相信我说的。

但我要对其他读者负责,所以我简单讲一下,BCM模式可以保证最小的Ipk情况下,最大的磁动态范围。

同功率下,Ipk在DCM下比BCM高,而CCM的Irms比BCM高。电流大损耗大,同条件BCM单周期传输能量最大,这其实是个常识。

我从不迷信经典,但是我也不相信LT半导体的人是傻子,会开发BCM而不是DCM/CCM模式用于他的电容充电方案。

给你一个思维方式,研究一个客观问题前先多想想他的底层逻辑,如果不行就仿真一下,这样可以避免你的很多烦恼。

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信仰は儚き人間の為に
5年6个月前 IP:广东
857654
引用rb-sama发表于35楼的内容
没兴趣看你错误的计算,我又没强求你相信我说的。但我要对其他读者负责,所以我简单讲一下,BCM模式可以...

看都没看就知道是错误的计算,很牛逼。

u=1065387394,2300139032&fm=26&gp=0.jpg

 

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rb-sama
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:湖北
857656
引用信仰は儚き人間の為に发表于36楼的内容
看都没看就知道是错误的计算,很牛逼。 

错误的结论能有正确的计算?抱歉我说话很直,因为我确实不接受无脑质疑。

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WangGC作者
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:上海
857660

几位不要急,如果能有详尽的理论计算或模拟数据,我想这是比较有说服力的,如果两位有时间把理论依据甚至实验过程发到这里,验证BCM相对于C/DCM两种的优势(比如磁芯利用率-大概是BCM高、等工作条件下折合铜损铁损的效率...等)的话,我很想对此借鉴学习。我认为我们也正需要这样的学术探讨。

如果各位没有意见的话,我会开一个用于探讨高压电容充电技术的专帖,也算是整合一下相关资料。

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rb-sama
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:湖北
857680

嗯,我可能过激了点言语。

三水是个爱技术的好同志,唯一的缺点就是杠精,我每个帖子都要来莫名其妙质疑一番,但是今天就事论事不论人。

看看YouTube NXP的quick learning,

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/watch?v=khn5udAjuYY

这个视频在Google搜索SMPS BCM的第1个结果,短短6分钟的视频比较了CCM和BCM的特性区别,这里有你想要的一切理论依据。

72DABB3D-CEF2-4CE1-9448-7ECBDE083569.png

 

从黑板上看,精简内容,

更低的变压器体积,更低的峰值电流带来更低的消耗,自适应频率让变压器时刻处于能量转换,开启零电流准ZCS这些都带来更高的效率,其变频特性能够让电容电压在任何状态得到最大的输出功率。

这个视频里还讲到了这类峰值电流控制的模式,相比CCM只有一个极点,更容易实现环路稳定控制。

这么简单就能Google到的内容,为什么还要一直纠结?说那么多计算起来似乎不符合直觉之类的话。

我并不希望指责谁,只是三水同学太过于想通过自己的一套方法辩证对错,当然这在研发中是求真精神的表现,但是我认为在这是学术造轮子,因为结论根本就错了。我更希望你能通过搜索引擎去得到你想要的知识。

为什么我一直不回复技术细节,因为我把BCM模式控制电容充电最优默认为一个成熟结论了,技术问题的讨论并不是科普,何况我已经在前面几个帖子描述得很清楚了BCM的工作原理。

反驳别人观点的时候,我更希望你能提出一个支撑自己观点的理论依据,因为我一直在解释BCM为什么适合电容充电,反而三水好几帖一直神秘兮兮“据我的推论、据我的计算”说我错误了,却不给出任何推论和事实依据,难道你是研究神秘学的嘛?你说我错了,证明给我看啊。

甚至还有人说我没有看计算结果草草下结论,何罪之有呢?楼主是在讨论电磁枪的工程问题,而我也不想和三水一直无谓的争辩到底什么充电模式好,这样的基础理论。不然我们做python编程,还需要知道沙子怎么变成硅的提炼工艺,才肯罢休?

如果工程设计中,对每一个你不懂的问题都要刨根问底,各种质疑他人。而不自己想办法获取原因,我觉得你永远是杠精,而不能成长为一个合格的工程师。

这也是我的一点小小心里话,话糙理不糙,望谅解。

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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857822
引用rb-sama发表于39楼的内容
嗯,我可能过激了点言语。三水是个爱技术的好同志,唯一的缺点就是杠精,我每个帖子都要来莫名其妙质疑一番...

rb-sama:我并不是老师,没有义务解答你所有的为什么。

rb-sama:难道你是研究神秘学的嘛?你说我错了,证明给我看啊。

em…

rb-sama:我从不迷信经典

rb-sama:因为我把BCM模式控制电容充电最优默认为一个成熟结论了

emm……

rb-sama:给你一个思维方式,研究一个客观问题前先多想想他的底层逻辑

rb-sama:我们做python编程,还需要知道沙子怎么变成硅的提炼工艺,才肯罢休?

下载.jpg

我寻思这道理咋还全叫你给占了呢😂


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三水合番
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:四川
857823
引用rb-sama发表于39楼的内容
嗯,我可能过激了点言语。三水是个爱技术的好同志,唯一的缺点就是杠精,我每个帖子都要来莫名其妙质疑一番...

关于你给出的视频,他实际上也没有“证明BCM是最优的理论推导”。他只是说了几个BCM的好处,至于究竟为什么这么好,他却没有说清楚。比如说,他说BCM变压器体积更小,是因为电流是CCM的两倍,而电感可以是1/10。但是为什么是这两个数呢,他没有说。这和你之前给出的ADI的链接里的说法,逻辑上讲并没有什么长进。我们应该知道,理论要从公理,定律和定义出发,而不能基于“某某公司的人不是傻子”,这两者是有本质区别的。

比如说提到电感,就得能追溯到它的定义式ε=-L*di/dt;提到绕组的发热功率,就得能追溯到焦耳定律。如果某个说法,追溯到最后发现竟然是基于“某某公司采用了这样的方案”或者是“一个身后摆了张写满了字的白板的外国老大爷说过这话”,那这就成了神学而不是科学了。

当然,如果我们有足够多且严谨的实验数据,我们也可以把“BCM就是最优的”归纳成一个像是“万有引力定律”那样的,可以作为基础理论加以引用的“BCM最优定律”。这样我们就可以“把BCM模式控制电容充电最优默认为一个成熟结论”,而不需要基于其他理论进行推导了。不过在相关理论如此成熟的今天,除了民科,恐怕也没人敢做这样的事了。

反而三水好几帖一直神秘兮兮“据我的推论、据我的计算”说我错误了,却不给出任何推论和事实依据,难道你是研究神秘学的嘛?你说我错了,证明给我看啊。

另外,这里我有必要说一下。我从来没有说过你错误了,我只是希望你能提供你提到的“BCM就是中间的黄金比例”的相关资料,并随后指出了你给出的资料并不足以证明这个观点。至于BCM到底是不是最优,我自己都没有定论(要不也就不会问你要相关资料了),更无从说认为你是错误的了。


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三水合番
5年6个月前 IP:四川
857824
引用rb-sama发表于39楼的内容
嗯,我可能过激了点言语。三水是个爱技术的好同志,唯一的缺点就是杠精,我每个帖子都要来莫名其妙质疑一番...

其实我很好奇你为什么要做出如此不爱惜羽毛的事情。你给出的两个不足以证明你观点的例子,要么会反映出你的科学素养之差,以至于不知道理论该以什么为基础;要么会反映出你诉诸权威成性,以至于无法分辨“某某公司的人不是傻子”和“公理定律定义”之间的区别;要么会反映出你其实没仔细看过这两个例子,也就是对自己的发言不负责任。再后来更是不惜给我扣“杠精”的帽子,仿佛把我批倒批臭,就能让“BCM就是中间的黄金比例”成为不言自明的道理一样。难道说一句“我也没见过详细的理论推导,这个是基于工程经验给出的结论”,在你看来是如此的不可接受吗?如果真是这样,建议你在这篇帖子下面现身说法(XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/59233),为科创的心理学研究贡献宝贵的样本。

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rb-sama
5年6个月前 修改于 5年6个月前 IP:湖北
857848
引用三水合番发表于42楼的内容
其实我很好奇你为什么要做出如此不爱惜羽毛的事情。你给出的两个不足以证明你观点的例子,要么会反映出你的...

我说过你是个好同志,就是有点杠。我从来没想把你批倒批臭。之前电炮版选版主,我第一个推荐你。

BCM是否黄金比我并不想和你展开讨论,这仅仅是我个人喜好,我懒得回复你了,就是科学素养低吗。😱

原来你回复我每个帖子我都给你证明举例子,后来发现这毫无作用,你听不进去,就不想回了,下面我再破戒一次为你解答。

-

就“BCM是否电容充电最优解”这个问题,展开来看是一个初中数学问题,我之前问你电流和时间的包线的量纲?答案是焦耳。

这一句话里含有了这两重意思“功率定义为一秒的耗能,一秒内电流波形的包络等于功率”

定义变量K为常数系数,Bsum为磁饱和强度,Tsum为周期。

那么CCM,是有直流偏置分量的,设定为Bm1,变化分量设定为Bm2,那么Bsum=Bm1+Bm2。

再看DCM,虽然没有直流偏置分量,但是有间隔时间,设定为Tm1,工作周期Tm2,那么Tsum=Tm1+Tm2。

这样一来,看CCM的功率就是KBm2*Tsum/Tsum,DCM的功率就是KBsum*Tm2/Tsum。

而BCM的励磁电流波形紧跟复位电流波形,那么功率为KBsum*Tsum/Tsum

KBm2*Tsum/Tsum,KBsum*Tm2/Tsum,KBsum*Tsum/Tsum,CCM,DCM,BCM。

三个解并列,由于Bm2<Bsum,Tm2<Tsum,可得同样Bm条件下,BCM的功率值解最大,而CCM要趋近于BCM的解。

必须让Tm1无限接近于0,这样CCM=BCM,也就是临界电流导通模式。这个答案你满意否。😱理论上我已经做了你一分钟的老师。

-

你所说的外国老大爷在黑板讲的就是以上这些东西,与以上几个初中数学公式完全等价。

我用了三楼尽可能给你解答,特意上YouTube找视频给你看,可气的是这些问题本来是你应该自己Google或百度获得的答案,

就是因为没给你讲解,所以反倒你盛气凌人给我扣上一个民科(Quote:我也没见过详细的理论推导,这个是基于工程经验给出的结论)的帽子,

那我反问一句,你所有没见过别人提出的详细理论推导,就能判定是基于工程经验给出的结论吗?你如何知道我不是通过论证得出的结论。

你这个论据的得出,到底是否符合科学素养,是否符合这个帖子定义的标准?XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/59233耍大牌随意否认他人。

难道所有人都有义务给你答疑解惑嘛,否则就是民科,到底谁是杠精你在这告诉我!😄到底谁不爱惜羽毛。


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虎哥
5年6个月前 IP:四川
857851

我的帖子躺枪😢

都不要扣帽子。显然,指责别人扣帽子也是一种扣帽子,只要用抽象概念形容别人,就都有扣帽子之嫌。所以,一旦就是否扣了帽子争起来,往往没完没了,互相都可以说对方在扣帽子。

你们二位都是出色的理论家,考虑到这个帖子主要是分享和探讨一个电磁枪的试制,还是要就事论事。楼主还年轻,遇到神仙打架根本不好出来干涉,所以你们应该自觉给楼主一点面子啦。

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zenglei421
5年4个月前 IP:广东
859948

看完这个帖子,有点同情三水,因为仿佛看到了自己。同时又特别佩服black,为什么你这么牛,思维模式及获取知识的路径真还是学问,需要开源,同时努力提高自己这方面的能力

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WangGC作者
5年0个月前 IP:江苏
864849
咕咕咕 10月13日更新:完成了触发-驱动电路

最近正在忙另一个项目,很长时间没更新了...前天抽出时间把之前设计的电路搭建出来,在实体上做了一些抗干扰、电磁兼容的改进,修改了一些不合理的设计,现在全部驱动部分(从弹丸遮挡光电管到IGBT栅极电压上升至18v)延迟仅为约450nS,弹丸100m/s经过此段时间位移为十微米级,可以说符合设计要求了。

IMG_20191013_002934.jpg

图为测试电路

IMG_20191013_002816.jpg

IGBT G极波形,中间平台大概为比较器输出线性-饱和转换造成

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WangGC作者
4年8个月前 IP:北京
873058
2020.2.6更新:驱动电路基本完成

最近仍然是“在忙另一个项目”,做板子的时候顺手做了一批驱动板,看起来还很漂亮

mmexport1582637971505.jpg

板子结构不复杂,钢网涂完锡浆,旧烤箱来做回流焊机,效果挺好。

IMG_20200219_172155.jpg

图为带载测试电路

IMG_20200226_202716 (1).jpg

这是整个板子的传输时延,主要测了这个参数,约250nS,驱动波形上升时间图中可见约600nS,与上次相差不大,再加上管子的 Tdon,控制在了1μS之内。


其实这批板子是用来测试的,有些小bug需要修复,布局也不是很满意,所以过段时间做一批新的,再加上最近组装好的加速管,可以整机测试了。


另外,因为升压器制作屡次受挫,很大原因是极高的功率和较低的输入电压,导致初级电感奇小,损耗较高,所以暂时放弃直接在25v基础上升压的方案,改换双相boost提高电源轨至80v,再利用LT3751@半桥钳位反激(优点是设计得当,功率FET的Vds只需略大于甚至等于Vin)将电压进一步升至450v,提高效率,也避免了过大的磁芯体积(虽然boost的几个大电流电感也不小,但是整个系统可以做成细长的外形,插进炮管和腔体的空隙,提高空间利用率,也有利于后期模块化。

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WangGC作者
4年7个月前 IP:北京
874795

IMG_20200312_211838.jpg

新设计的板子到了,由于钢网打算后续定制,先徒手焊了一张测试一下

IMG_20200312_211301.jpg

IMG_20200312_211347.jpg

两张均为IGBT gate测得波形,前者驱动放大后级BJT桥B极电阻为22欧,后者为10欧,而由于减小后依然无抖动和过充,所以取10欧

IMG_20200312_212553.jpg

图为总传输延迟(比较器输出&IGBT_gate)仅400ns

IMG_20200312_211512.jpg

另附一张干净的G极驱动波形


至此,驱动电路部分设计、调试完毕

下一步是外电源系统的完善以及火控系统的设计(可以看到图中板子上预留了许多接口,其中有驱动使能(per stage)和单级报错、重置等接口,为多模式连发等功能扩展做准备)

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虎哥
4年7个月前 IP:四川
874796

怎么示波器上没有游标,2.几μs的dt是整个上升时间吗

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WangGC作者
4年7个月前 修改于 4年7个月前 IP:北京
874838
引用虎哥发表于49楼的内容
怎么示波器上没有游标,2.几μs的dt是整个上升时间吗

嗷,这次测试没有用游标来测,主要是数格子。游标调到两侧了,跟波形数据无关,可能有点误导。具体标尺还是最下面M框里的为准,前两张200nS一大格,后面500nS,然后是2mS

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