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基础原理
5年1个月前
4
30595
13
E类功率放大器_MRFE6VP6300H_25MHz的设计过程——SF_FLOWER
本文主要介绍了E类功率放大器的主要特点和以及在利用ADS软件设计的基本流程。在仿真流程中着重介绍了LoadPull和SourcePull两个仿真模板的使用方法。当然文中也详细介绍了在仿真器件遇到的几个坑以及解决过程。在这里要特别感谢科创的长数君,以及极速外卖在前期给予了关键性的指点。 (本文既是总结,也是希望给以后的童鞋们提供一个做E类功放的参考。当然,本人水平有限,在仿真过程中也有很多不太懂的地
4年1个月前
· 不好意思哈,最近工作比较忙,没怎么上来,可以有问题可以通过邮箱联系我995888499@XXXXXX
奇侠
基础原理
5年1个月前
1
32278
5
最近踩的两个“坑”分享——运放不供电的时候发生了啥?
硬件设计工作小白一个😐,今天在测试板子的时候发现在原理图设计时踩了几个“坑”。发上来与大家分享一下。简述背景:某个器件需要多路偏压,同时对这几路偏压的上电时序有要求。其中一路电压可变偏压的框架设计如下图所示。大致的思路为电压基准源给数字电位器供电,SPI总线配置数字电位器改变中间抽头的位置以改变其输出电压值,然后使用运放做跟随和滤波,运放输出给器件供电。由于运放没有EN脚,只好选择控制运放的供电
3年9个月前
· 我发了一个帖子,分享了一个应用手册里面有讲到这个问题。https://www.kechuang.org/t/86036
rpg-7
基础原理
5年7个月前
27045
6
立足基础理论,灵活解释您的仿真结果,进行设计与取舍---以基于平方率的单端共源共栅放大器设计为例
现代模拟IC设计中,我们打交道最多的器件莫非MOSFET了,使用什么结构,如何给定MOSFET的参数,就是一个最重要的话题。在现代CMOS工艺中,我们关心最多的参数:MOSFET的宽(W)和长(L)和由这两项参数构成的宽长比(W/L)。而在0.5um及以上的工艺中,平方率方程是可以较为准确的描述MOSFET I-V特性曲线,方程如下:(饱和区,先暂时不考虑沟道长度调制效应)$I_D=\frac12
5年7个月前
· Cadence IC 617和 MMSIM 151对,第一张图的两个MOS,上面的PMOS 是共源共栅电流源,下面的NMOS构成共源共栅放大器
ne555
基础原理
8年5个月前
4
114134
62
E类(class E)功放的原理及设计
2
不少人第一次听说E类功放都是因为那个class E SSTC,从网上查询却发现资料少的可怜,其原理和设计方法就更无从谈及。下面我就根据书中所写以及自己的理解讲一下。讲之前还需说一下,因为电路分析必须涉及微积分,所以不懂的最好查一下,不需要会解,能明白符号含义和表达式意义就行。E类功放产生的原因D类功放是较早出现的一类开关功放,其出现促进了逆变技术的发展。由于晶体管处于开关状态,理论上可以达到100
1年10个月前
· 请问补偿电容Cc如何计算?
ehco
基础原理
11年10个月前
1
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63
深入学习高频脉冲变压器的设计
2
深入学习高频脉冲变压器GDT的设计但凡真正的KC人,都有不同程度的偏执,对一个问题不摸到根源绝不罢手—ehco 脉冲变压器属于高频变压器的范畴,与普通高频变压器工况有别。脉冲变压器要求输出波形能严格还原输入波形,前后沿陡峭,平顶斜降小。 在众多的制作实践中,随处可见脉冲变压器的身影。例如DRSSTC中的全桥驱动GDT
8年7个月前
· 好东西,收了
ltl
基础原理
12年6个月前
169400
112
[提问]电容的能量损失问题
2
3
总所周知,电容的能量E=1/2*CU^2那么考虑如下电路:两个相同的电容并联,先断开第二个,给第一个充电,储能E=1/2*CU^2接入第二个电容,则由于电荷总量不变,且每个分到一半的电荷,故电压也变为原来的一半(q=CU,q减半则U减半,且由于并联所以电压相等)这时的储能E'=2*(1/2*C*(U/2)^2)=1/4*CU^2=E/2,那另一半能量呢???有的同学说是变成电磁波了,但我觉得不可能
10年10个月前
· 请问你家汽车电池充电只充一半会是12伏吗?,充四分之一会是6伏吗?纯电容并起来电压理应是根号2分之一
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