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Re80发表回复 2年6个月前
作者有missile datcom的安装包吗
rb_sama发表评论 2年6个月前
可行，加上高阻回路可以很快衰减能量，有点类似有源钳位。但是这样就要额外增加器件了
rb_sama
bg7dgh发表回复 2年6个月前
更复杂的功能 还要小型化 带oled屏幕
大仙
warmonkey发表回复 2年6个月前
对于choke引起的尖峰，我有2个思路：1 增加一个保护开关，短接choke两端实现续流。2 增加RCD或者TVS吸收在choke两端，限制choke的电压差。为了在短路时保护电阻采样电阻，会在电阻两端并联二极管，限制采样电阻的瞬间功率。类似思路也可以运用。
warmonkey发表评论 2年6个月前
我说的是外置一个开关器件，短路choke的两端。
rb_sama
rb_sama发表评论 2年6个月前
这个choke的问题在于，是接着VBUS的，短接到地会让choke（RFC）继续增大储能，
rb_sama
warmonkey发表评论 2年6个月前
根据你的描述，需要吸收的应该是choke的储能，也许应该通过短接choke实现？
rb_sama
rb_sama发表评论 2年6个月前
好吧，我原来设计的时候考虑有源吸收，但是没实践，功率再大一点你可以试试这个方案这个控制的开环bode曲线，扫出来应该会是和槽路LC相关，有一个极点一个零点，因为没法pwm控制还不能像llc一样pfm，这也是个麻烦事，要闭环，只能直流调功
rb_sama
0x00000000发表评论 2年6个月前
是这个问题没错了，然后我用了硬件上极其暴力的解决方法，直接加个TVS在DS极之间，有用是真的有用，TVS直接被干冒烟了MOSFET还活着。然后就是闭环控功率的话，感觉这玩意幅频和相频曲线应该很烂，很难满足相位裕量。只能先把传递函数一推，然后设计个好几个零极点的补偿网络。
rb_sama
0x00000000发表回复 2年6个月前
电路简化图如图，MCU输出驱动信号经由栅极驱动器放大后驱动MOSFET，MOSFET的漏极谐振波形通过比较器整形后送入MCU的外部中断引脚。振荡器的启动时序如图所示，在En端高有效后MCU会同时导通两个MOSFET一段时间（约20us，0 - tS），此时两个续流电感在电源电压的作用下电流线性上升，完成预充能。随后B相关闭，A相维持开启，此时在B项的漏极应该能检测到谐振电压的上升，MCU将在1.5...
rb_sama发表回复 2年6个月前
zvs在开启的时候，RFC电感和槽路电容，会在震荡波形上叠加一个震荡包络这个包络可能会导致启动时候Vds超压之前做过cpld控制的zvs，它改数控最大的问题是故障处理，一般桥式，过流或者发生短路，直接关断就行，zvs强制关断双管会导致RFC电感在Vds产生一个尖峰不关断，又会导致故障状态进一步加深，我在cpld里面加了断电后，继续延缓震荡到槽路能量消耗为0的策略，这个拓扑在自激时候就已经是最完美了...
20！Dopaminor发表评论 2年6个月前
但怎么保证气泡破裂、气孔是联通的？
Kurt_G
0x00000000发表回复 2年6个月前
零电压开启和关断瞬间放大图如图，可以看到电路能够实现时机合适的完美零电压开启，也实现了零电压关断，但是关断时间稍有滞后，大概480ns的延迟，由于比较器的传输延迟和MCU对下降沿中断的响应时间导致的。这个迟滞也影响了电路最高工作频率，实测频率高于60KHz这个延迟就能够造成明显影响。MOSFET的驱动波形如图所示，可以看出存在一个很短的共态导通时间，这也是有意而为之，如果驱动波形加入死区会导致续流...
0x00000000发表文章 2年6个月前
增强了MOSFET驱动能力的经典自激式ZVS推挽变换器
电路实物图如图所示，包含功率部分和反馈及驱动部分：上电启动波形如图所示，可以看到基本平滑进入稳定区间，没有很强烈的冲击。先同时导通两个管子使得电感电流建立一个相对合理的初始值（预设约1A左右），然后释放其中一相使之建立第一个振荡半周期，然后根据谐振电压的过零点进行换向，振荡得以维持。稳态振荡波形如图所示，显示了某一相的栅极驱动信号和漏极的谐振信号，可以看到是相对完美的ZVS状态；还显示了输出电压和...
dlovemi发表评论 2年6个月前
没有考虑
dlovemi