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托卡马克发表回复 4年7个月前
这是我第一次采用半桥式的和新的mcu来做电炮。有点草率的是半桥这个方案我没有做过预实验，而是就直接做成品测试了。心里没有谱，所以只做到比较基础的回收。起初设计时为了控制方便，ir2110s的高低边是由一个io口控制的，也就没有考虑过续流和先给自举电容充电的问题。另外对于这个续流有无的具体影响我也不是很清楚，希望大佬能给我讲解一下。开始有想过使用一个大电容代替多级电容，但是这个回收后的电压和模拟值会...
三水合番
依格古德曼发表回复 4年7个月前
看这篇文章：Analysis of Magnetic Gearing Effect in Field-modulated Transverse Flux Linear Generator for Direct Drive Wave Energy Conversion电机定子没有变化，转子搞成斜极就可以了。
全桥整流发表回复 4年7个月前
电脑操作
性感铷铷
三水合番发表回复 4年7个月前
厉害。这年头能把这么多生产力放到研发电炮上，也是很不容易了😂自举电容可以通过在发射前让下管先单独导通一下来充电，可能需要用容量稍大一点的电容，来保证较长时间里电压不掉太多。从电压波形上看，似乎没有续流阶段？这是出于什么样的考虑呢？另外，推荐把所有电容都并在一起，应该可以让效率再提高一点
ppyuyi发表回复 4年7个月前
感谢分享！
耶苏2009发表回复 4年7个月前
今天是电解的第四天，液面下降3.5公分，电解液依然清澈，底部开始产生大量片状透明晶体
耶苏2009
三水合番发表评论 4年7个月前
这夹子看起来不错
RodTech
rb_sama发表回复 4年7个月前
😅普通TC相当于是双谐振回路，并联谐振和串联谐振的概念是针对激励源的驱动方式而言的并联谐振一般是电流源驱动，串联谐振是电压源驱动而磁耦合则是能量通过磁耦合，耦合到LC中，可以当RLC分析。频率分裂从数学角度解释，是因为频幅曲线的极值点是一个二次未知数的解，有正负两个极大值（还有一个极小值）从物理的角度上看，其实又可以理解为原副边C通过松耦合到L1成为一个L（c）的谐振频率<这个概念不展开，仅作为...
月下孤狼
量子隧道发表回复 4年7个月前
学习了。多谢楼主。而且也明白了我十多年前为啥用可控硅控制电*爆@桥#丝会失败。当时计算电压，脉冲电流什么的，都满足，可就是怎么搞都不行，要么不起bao，要么可控硅炸掉。原来原因是可控硅不能过快导通。这和电^爆&桥*丝的要求是反的。电!爆@桥#丝要求快速导通，电流快速上升。
Na4XeO6发表回复 4年7个月前
先制钠盐然后加氯化铵复分解更好吧直接这么电解大概率出NCl3
RodTech发表回复 4年7个月前
学习了 以前从没了解，以为di/dt只是开关达不到而不是会炸。。。拆过一个垃圾，脉冲工作的，安装部分自带压力称。。。
氦发表回复 4年7个月前
平板可控硅封装原来这么草率😂也难怪之前见过有人出平板可控硅的管芯，应该是在货场收的被砸过的，当时还奇怪硅片怎么可能那么干净那么完整由此想到，对于这类可控硅直接拆开取管芯进行安装会不会稍微简单一些（甚至或许可以试试给管芯上锡直接焊接？）
TengokuDevil发表回复 4年7个月前
这个还没有考虑，近期准备试试用ansys仿真一下
OMEGAERJSH
Na4XeO6发表回复 4年7个月前
以及如何避免电解过程中阴极还原次氯酸根
Na4XeO6发表回复 4年7个月前
楼主有没有试过用钌铱钛阳极？
哈哈哈哈哈士奇发表回复 4年7个月前
国内外常压法的DAF文献产率普遍注水，一步，二步，三步，精制后产率能过20都算运气好……
月下孤狼发表回复 4年7个月前
系统总结很好，以后我没办法继续考爱好者为什么ZVS 的开关管稳态电压峰值是电源电压圆周率倍了，对方可能不愿意分析而是直接以此贴作为回答。不过还有一些值得分析的，不通过磁耦合的方法驱动任何负载的ZVS是一个并联谐振回路，将稳定工作在并联谐振频率；如果将ZVS的谐振电感通过磁耦合的方法驱动另外一个谐振回路，将出现频率不稳定的情况（此时并联谐振频率将分裂为两个甚至更多）。如果有人尝试过用ZVS直接耦合一...
在下松田诚一发表回复 4年7个月前
有时间可以试试。然后会把结果发上来
浪里黑条
耶苏2009发表回复 4年7个月前
你的也不该这么低温，快200瓦功率了，我的功率才100瓦出头，又是5升烧杯，温度快60度了
性感铷铷
luojun163发表回复 4年7个月前
期待
KB发表回复 4年7个月前
肯定是分开用啊，一般是用碱进行反应，少量泄露一般是用碳酸钠进行反应，氢氧化钠也可以
我说要有光
浪里黑条发表回复 4年7个月前
有否试试草酰胺路线？文献显示只需要回流2.5h，且产率显著高于尿素路线（具体是多少忘记了。。。）
三水合番发表文章 4年7个月前
可控硅用作感应炮/轨道炮开关时的两个注意事项
电流上升率可控硅（SCR）刚触发时，如果电流上升速度太快，就会烧掉。这是可控硅特有的问题（比如MOS，IGBT就不需要考虑di/dt），它的原因是：可控硅刚触发时，硅片上只有门极附近的区域是导通的，导通的区域向周围扩散的速度很慢，大约只有50-100m/s。如果电流上升的速度过快，门极附近就会承受过大的电流密度，并过热烧毁。比如最常见的70TPS系列，允许的电流上升率（di/dt）是150A/us...
性感铷铷发表回复 4年7个月前
浓度，温度，离子活度都会影响电流，我的温度才40多，电极自制的，
耶苏2009
9zhmke发表回复 4年7个月前
这价格，除以十差不多，不是说技术不值钱，而是这本身就没什么技术含量还卖这个价，也太坑人了
北纬以北发表回复 4年7个月前
我想起鲁迅先生笔下的鲜活形象 。