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joyeep发表回复 16年2个月前
Mos的优势就是频率高，但是不要忘记了MOS 结电容，在高频下，这个电容就起很大作用了推动电路需要改，建议用TC4420，这些MOS 高速驱动IC，常规的驱动基本失败HELLOCQ上面有用IRF640做几十M ，50几W 的业余电台的。
t-600发表回复 16年2个月前
6mm才是黃金比例................."另外噴口手工不錯用水泥的嗎?
caoyuan9642发表回复 16年2个月前
450W漏磁谐振不对会一点现象都没有吗?是不是必须要接地才行?
pbhapya发表文章 16年2个月前
这个喷口是不是太细了 会不会炸呀？
管材 内径1.9cm 厚度0.4cm 喷口大约0.3cm
nhlijiaming发表回复 16年2个月前
Mos不像三极管，没有频率上限的…频率越高失效越快。我用单片机驱动，15khz时功率最大，一直觉得奇怪
macaseadam发表回复 16年2个月前
Re:C51+18B20+数码管==温控器 后继功能开发
[s:255]  [s:255] 哈哈同意楼上的意见.....方案一设想不错不过就像你说的那样.....电路变复杂而且是在现有的基础上改更麻烦....要么你重做过PCB要么就干脆别改...确实做个温控器家里一大堆PCB....怎么想怎么感觉像是科学怪人......... [s:94]  [s:94]
小特斯拉圈圈发表回复 16年2个月前
引用第10楼北落师门于2010-01-15 09:56发表的  : 据tesla说IRFP250的频率能达到4MHz，这么说的在试验频率下应该是没问题的 而且大家注意在低频的情况下场管发热也很严重，非常严重！用CPU散热器都很难支持，应该是频率不匹配导致效率不高，最终能量都聚集在场管上的缘故 不要这么肯定啊...... 我是看了http://www.richieburnett.co.uk/hfss...
量子风暴发表回复 16年2个月前
[s:247]  [s:247]  [s:247]真的很专业
量子风暴发表回复 16年2个月前
[s:253] 加我qq1124527836联系吧
joyeep发表回复 16年2个月前
MOS发热严重需要观察波形。如果不是非常严格的矩形波，在导通和截止的时候是有损耗的，还要注意就是占空比不要高于 50%，控制在40%最好。另外反激式的，绕线相位是有规定的，不要忘记了高压包里面有个2级管。
joyeep发表回复 16年2个月前
这个电路做过，效果很一般，不建议做
ビリビリ女发表回复 16年2个月前
CPU散热器会压不住么……我不太相信
t-600发表回复 16年2个月前
但選擇太多心花恕放 = =+