呵呵,在天朝搞这个是要注意啊,咱们其实都是在玩火,虽说这玩意目前在法律上没有明文说明,但天朝的法律各位也是知道的,规定上虽然没有明确说电磁的东西算Q,但是那个\"等\"字就把什么都包括进去了,到时候还不是ZF说了算![em05][em05][em05]
以后还是说电磁发射器,磁动力什么的安全些,大家也要小心了.
坛子上很多东西在BAIDU上随便都能搜出来,建议坛子把一些敏感字符过滤,像Q,ZHA,...
我用的是1000uf/400V电解电容两个并联,可控硅用的是T2513NH,TO220封装,查手册说是12.5A/800V,看原厂的说明又是25A/800V,我都晕了[em06],可控硅用的两个并联,为了省事三个电极直接并联,没加均流措施,不过也没什么事.发射线圈内径8mm,长30mm,用0.7mm线绕350圈,直流电阻约0.5~1欧(我的万用表测1欧以下电阻不准),电感700uH
弹丸用的直径7...
以下是引用HK007在2006-11-8 22:36:30的发言:
MOS管子栅极和源极之间接电阻没有?IRFP450肯定不能用的,通流能力太弱,才几十安,四只并联也没用,MOS管子的脉冲电流耐量为额定电流的3倍左右,这样总通流容量才300多安,肯定会烧的,IGBT的通流容量就大些,多并几个就不会烧.
可控硅就不同了,普通单向可控硅脉冲电流可以达到原来的15倍~20倍,两个25A的可控硅,瞬间通流...
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