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阿拉丁发表回复 20年0个月前
科学解决了7.和6第四点也就解决了费时费力与作案时的经济性矛盾,
阿拉丁发表回复 20年0个月前
第7点,只能是深埋或是和部件一体话!!!注意防磁,防电击.
阿拉丁发表回复 20年0个月前
应该是第六点!!!
阿拉丁发表回复 20年0个月前
关于1211的第7点安装手段不能简化,只能是废时,废力,但要保证一点就是除了安步就班这种手段拆卸手段外,除了强力破坏没有别的办法,而强力破坏又成为准确报静的触发因素!!!假如成本100元的话安装应该占20元,相当将四袋水泥扳上六楼的用功量.
liulong84发表回复 20年0个月前
确实、确实 .............................
liulong84发表回复 20年0个月前
我也来聊几句，现在国家和企业对我们这些搞技术、搞创造的待遇不如那些搞业务当明星的。 像这样下去我真不敢相信若干年后还有哪位中国人愿意搞技术搞科研。 中国是个制造大国，制造技术不知如何能上来。 真为之叹息。
mass_lynnxy发表文章 20年0个月前
[转帖]结合最近做的东西谈谈控制理论的应用
如果说软件是一个系统的大脑的话，那么控制理论则是大脑中的思想。电子技术类的工程师或多或少要与控制理论打交道。但是，即便是专门研究控制理论的人员，通常在将控制理论和工具能用化和实用化时会遇见很多问题。 下面我就结合工程实际，简单介绍一下控制理论和仿真工具在工程的应用的实例，希望对有志于应用控制理论的站友提供一点启示。不详细介绍具体的设计过程和控制要求，只是讲述一些个人认为可行的方向或者方法。...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
第六部分. 结论本文主要介绍了NVM的发展过程和技术概况。主要的编程手段有热载流子注入和FN隧道效应。在FN隧道效应中，门极氧化层厚度一般小于12nm，而在热电子注入中可以厚很多。两种典型的擦除机制为紫外照射和FN隧道效应，通常在UV EPROM中使用紫外照射擦除的方法，而在EEPROM和FLASH存储器中则使用了FN隧道效应擦除机制。紫外擦除所需的时间一般为10分钟而FN隧道效应擦除的时间根据控...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
第五部分： NVM可靠性问题NVM存储器单元有几个重要的功能性参数，用于评估单元的性能。这些参数基本可以分为两大类：耐久力和数据保持能力。为了更好的理解这些概念，我们有必要了解一些关于门氧化层，IPD的完整性知识。无论在EPROM， EEPROM还是Flash EEPROM中，影响器件可靠性的关键在于门氧化层和IPD的质量。门氧化层主要的失效机制涉及到在热电子或者FN注入时由高电场引起的氧化层击穿...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
第四部分： 热载流子注入模型热电子注入是对Flash EEPROM编程的一种手段，它利用高电场加速得到的热电子注入浮栅区来实现电子的移动。此方法编程速度比较慢，这是因为电子注入效率很低，其依据是建立在可能性的统计学规律之上。热电子注入机制也增加了漏极区域的电离，多子和少子都被电离产生。高动能的空穴通常被substate所收集从而形成substrate电流 (Isub)而电子则被漏极区域收集形成漏极...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
第三部分： 基本擦除机制第二部分论述了两种编程机制，FN 隧道效应以及热电子注入。为了能够再次对NVM编程，之前需要对NVM擦除。本章将论述在工业界最常应用的NVM擦除机制。被注入浮栅之中的电子被门/氧化层能量势垒（3.2 eV）保持在其中。而在氧化层/硅接触面的电压能量势垒也大于3.0 eV，因此， 电子自然迁移的可能性很小。浮栅内储存的电子使得器件的阈值电压增大。通常存在两种擦除方法：1. ...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
2，热电子注入NVM 也可以通过热电子注入来实现编程。对于在p型substrate上的n型NVM使用热电子注入，而在n型substrate上的p型NVM则采用热空穴注入。热空穴注入的速度非常慢，这是因为空穴质量和Si-SiO2 能带势垒（4.7 eV ）, 这也是现在绝大多数NVM生产商都采用p型substrate上n型NVM的原因。通常存储器单元是在漏极侧夹断区向浮栅区进行热电子注入。这些热电子...
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
第二部分 基本编程机制无论是浮栅型或电荷阱型存储器，对器件编程都是通过将电子注入浮栅区或者氮层区中。实现此过程，主要是通过两种的机制：FN 隧道效应（对薄氧化层）以及热电子注入。1． Fowler-Nordheim 隧道效应FN隧道效应是NVM最主要的电荷注入方式之一，在对器件编程时，在控制门极加上很大的电压（Vcg），能带结构会如图四变化：在图四中，ec 和 ev 分别是导带和禁带，Eg ...
464232124发表回复 20年0个月前
创造技法我人个认为还是比较重要的。你说的情况我也清楚，我在思维研究和应用中同样的也遇了你所说的问题。 我认为：如果我们能够把创造的技法列成一个系统性的东西、程序化东西的的话，那我们只要能够把它熟记于心。那么我们在应用过程中就可以按照我们已经记隹的应用程序一步步的去进行应用和实施了。
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
电荷阱型器件是在1967年被发明的，也是第一个被发明的电编程半导体器件。在这类型的存储器中，电荷被储存在分离的氮阱中，由此在无电源供应时保持信息。电荷阱器件的典型应用是在MNOS(Metal Nitride Oxide Silicon)，SNOS(Silicon Nitride Oxide Semiconductor)和SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semic...
mass_lynnxy发表文章 20年0个月前
全面理解非易失存储器(Flash,EPROM,EEPROM)
非易失存储器概论作者：Jitu J.Makwana, Dr.Dieter K.Schroder翻译：GongYi(Infineon Technologies,Memroy development center）Email: code631@gmail.com前言本文论述了基本非易失存储器（NVM）的基本概念。第一部分介绍了NVM的基本情况，包括NVM的背景以及常用的存储器术语。第二部分我将介绍怎样...
1211发表回复 20年0个月前
总结得很好。现在问题集中在几个方面： 1、如何探知盗劫行动？ 2、盗窃行动发生后，如何有效的告警，以便他人及时制止？ 3、盗窃行动发生后，如何有利于捉住盗窃犯？ 4、如何经济而有效的增加作案难度？ 5、如何经济而有效的截断运赃过程？ 6、如何简化防盗设备的安装、操作？ 7、如何提高防盗设备的抗毁能力和可靠性（包括如何防止误报）？ 我们可以就这些方面分别进行研究，必要时在每个方面可以尝试应用TRIZ...
阿拉丁发表回复 20年0个月前
还有就是如何制定探测器的探测值区分正常静态和被盗窃人扳上车的静态!!!
阿拉丁发表回复 20年0个月前
将探测器,报警器,独立电源(由动力电池充电)内制在车架空心管中,增加现场偷车人的拆卸难度!!!!报警开关与动力开关相反,开关遭暴力破坏,报警,传感器也不会关闭!!!!问题是独立电源如何更换,如何区分车辆以外倒伏,和被盗是的失衡.
liulong84发表文章 20年0个月前
版主招聘
由于我这段时间比较忙，欢迎各位有志于机械方面的朋友也来担此重任。
阿拉丁发表回复 20年0个月前
盗窃的模式是以最短的时间,和最经济的手段,最隐秘的行动完成盗窃,和运脏过程!!!!
阿拉丁发表回复 20年0个月前
实际上光警告的作用不大!!!到是声音警告作用大!!!三种盗窃模式的同一个特点是使自行车由静转动.也就是一动就响,声传感器太敏感,用稳度探测,或是震动探测!!!是否可行,我们要求的模式是车被盗后,探测器被触发,发出报警声响!!!如果车辆还保持运动择报警声不会停止,直到,小偷抛弃车辆,车辆由动转静,一段时间后报警声停止.
阿拉丁发表回复 20年0个月前
mass_lynnxy我的qq188572412,能单独谈谈吗?? 我有不成熟想法,希望提议件,成熟了再上论坛!!!
mass_lynnxy发表回复 20年0个月前
还有一种“非暴力不合作”，与声光告警配合，让小偷防不胜防，主要构思是：以生光报警为主，附加使运动机构在非正常启动 （我指的是被偷，不用钥匙的情况下）时非正常运行，过一会再以声光报警，即使损坏了声光报警，非正常运行（比如不能全功率运行，左右转弯灯反向指示，电池锁死除非破坏电池等等）。 或者延时保护告警，就是不立即使告警装置启动，这样小偷就会松懈，过一会再告警使小偷措手不及。不过风险比较大，可能会让小...
阿拉丁发表回复 20年0个月前
增加作案难度。已经面世的多半是遇到移动就狂发报警声的东西。 是个好主义!!!!!
阿拉丁发表回复 20年0个月前
是不是在车体稳度上做作文章!!!! 愿听高见!!!!