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虎哥发表回复 17年4个月前
旧题重谈，我国在光纤预制棒技术上，当初是坚决走自力更生的道路的，后来的情况大家都知道。
TUNGUSKA发表回复 17年4个月前
电容有余压那是因为电解电容无法瞬间把储能放尽,如果你用无感薄膜电容你会发现不仅没有正余压,而且还会有负压,原理参见LC电路.
warmonkey发表回复 17年4个月前
半导体器件耐压留2倍余量而且220V×1.2×sqrt(2)=373.4V，很不安全
sam_jin3887发表回复 17年4个月前
谢谢！
sam_jin3887发表回复 17年4个月前
徐光宪……从头计算，稀土传奇啊
sam_jin3887发表回复 17年4个月前
哭了～中国的科学家们啊～
潜伏者发表回复 17年4个月前
我有新的思路请看《[原创] 一种新的多级加速方式》
93°发表回复 17年4个月前
噢。。了解endl这失误还真够强悍的。。还有，是endl不是end1
phpskycn发表回复 17年4个月前
很简单，UCWEB的服务奇器。
潜伏者发表回复 17年4个月前
可是我发现在我试验时可控硅关断后电容仍有60v左右的余压，说明不是完全放干净后关断的。再有就是我用倍压电路充电后，如果不断开就发射，发射后被压电路中的二极管就会被击穿！当我加上正向整流二极管后问题解决。说明scr方案下还是会有反向高压的，scr也不是在电容能量完全放干净后关断的。（我用的整流二极管全部是RU4D）我不否认IGBT在关断时的能力，但是貌似它的保护电路要求高，并且复杂。还有就是价格高。...
TUNGUSKA发表回复 17年4个月前
没错,正向电流低于可控硅保持电流就关断了,问题是此时线圈中的能量已完全放出,不会再有反向高压产生,只有用IGBT等自身具备关断能力的器件在线圈中还有能量时关断才能出现反向电压.
潜伏者发表回复 17年4个月前
49楼：什么不行？48楼：目前还没找到什么好办法！不过这个我好像还不太明白。
93°发表回复 17年4个月前
不过为什么是PC的IP，是用wifi还是怎么回事
潜伏者发表回复 17年4个月前
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。我感觉是靠电流的降低。如果不对请赐教。
TUNGUSKA发表回复 17年4个月前
看了图,明显楼主到现在还没搞清楚可控硅怎样关断.
TUNGUSKA发表回复 17年4个月前
怎么不行,AC220峰值310V,用耐压400V的全桥足够.
tender发表回复 17年4个月前
[s:253]  谢谢
潜伏者发表回复 17年4个月前
为什么[s:245][s:246]
潜伏者发表回复 17年4个月前
上个电路图没考虑周全，太着急了。我这个电路的原理就是利用线圈发射后的反向高压，作为下一级发射的部分能量，并且作为下一级的控制信号。今天查了一下资料，发现可控硅自行关闭时反向电压也不小，所以可控硅不用换成igbt了。线圈产生反向高压时把它当成电源和下一级的电容组串联，而可控硅的开启有反向高压控制，可控硅的全导通驱动电流是毫安级的。本图中的电阻是4m的，所以在电路中不会导通，当上一级线圈产生高压时，由...
phpskycn发表回复 17年4个月前
………不知道。没钱买电炉。
phpskycn发表回复 17年4个月前
我拿手机写的，打不出那种括号…end1……纯属失误啊。
warmonkey发表回复 17年4个月前
400V6A不可以，要600V的比较好
依木杉发表回复 17年4个月前
因为一些原因我好久没来了，结过被赶出群了老群和新群。制备的时后想想家人吧，想想自己也好要理智点什么该做什么不该做。如果一切尽在掌握之中的话。
LIUZHIHAN111发表文章 17年4个月前
奇怪的问题
为什么我用盐浴温度能到200多度。。。对了，是用万用电炉第一挡
lyh3795发表回复 17年4个月前
我买到过2001年产的硫酸，国药的
93°发表回复 17年4个月前
'cpp还很烂的时候'指的是用 '(' 或 ') '代替 '{' 和 '}' ，cout不写endl的时候吗
warmonkey发表回复 17年4个月前
肯定乱飞
warmonkey发表回复 17年4个月前
Re:火箭制作.......成功    发射.............失败
太重了
haiyyang发表回复 17年4个月前
Re:火箭制作.......成功    发射.............失败
发射场附近有公路,还有高压线!!!! LZ注意安全.
haiyyang发表回复 17年4个月前
冷兵器与火器的结合!!!
三硝基甲苯发表回复 17年4个月前
当震撼弹使