要驱动3个啊,3个IGBT是并联的吧,那这个就要改动了,就是这个图三极管后面的部分每个IGBT都接一个再并联,前面的三极管部分共用,当然三极管电流显得小了,要分别用两个8050和8550并联.
这个电路的前极驱动电流为70mA左右,现在要驱动3个IGBT,那就要调整基极的68欧电阻,增加电流到150~200mA.如果控制电路只有5V/20mA的话,就再在前极接一个和上面一样的驱动电路,去掉稳压管,...
300mA电流小了一点,虽说IGBT是电压控制元件,几乎不需要电流功率,但是IGBT的栅极等效电容比MOS还大,可达几千Pf,在IGBT开启瞬间有很大的充电电流,可达几安培,电路最好改动一下,看看这个如何:
这个是大功率MOS和IGBT驱动的成熟电路了,应该有用的,与常规电路相比,可以加快IGBT的关断速度,同时使IGBT的开通速度稍稍减慢,克服IGBT的\"擎住效应\"的影响.
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