RHEED即Reflection High Energy Electron Diffraction,是表面物理膜层生长的重要表征手段之一,广泛的集成在MBE,PLD,LMBE,MOCVD等外延生长、半导体磊晶设备中。RHEED以一束能量为10~30KeV的高准直性、单色性的电子束作为探束,经电磁透镜偏转后以1-3°的掠射角掠射sample表面,反射形成电子衍射图像。衍射图像可以在一定程度上...
Jim Williams在Application Note 45《Transistor ∆VBE Based Thermometer》介绍过该电路,原文:关于元件:LTC1150为斩波放大器,有zero-drift以及良好的直流特性(实际上可以用OP07代替,而且是Pin to Pin)。LTC1043为开关电容构建块,相当于可以自动开关(使电路在两个状态间来回切换)的Analog switch,...