MOS管子栅极和源极之间接电阻没有?IRFP450肯定不能用的,通流能力太弱,才几十安,四只并联也没用,MOS管子的脉冲电流耐量为额定电流的3倍左右,这样总通流容量才300多安,肯定会烧的,IGBT的通流容量就大些,多并几个就不会烧.
可控硅就不同了,普通单向可控硅脉冲电流可以达到原来的15倍~20倍,两个25A的可控硅,瞬间通流容量就是1000A,所以我敢用3000uf/400V电容,只用两个2...
电容对电感放电,电场能转换为磁场能储存在线圈中,然后线圈对电容反向充电,在有二极管的情况下,反向电压被二极管箝位在1V左右,最大也不超过几伏,管子得到了保护,如果没有二极管,线圈的反向电势就与电容串联叠加在IGBT上,由于你所采用的电容容量巨大,线圈会产生很高的反向电势,超过IGBT耐压造成IGBT击穿损坏.
既然采用IGBT,可以考虑加入能量回收装置,既可以保护IGBT,还能回收能量,一举两得....
应该是你的IGBT驱动有问题,在不熟悉IGBT情况下,可以先用SCR做,以后熟悉了再转向用IGBT,SCR至少要用40A/600V的单向,我用的是T2513NH两个并联.
你的线圈没有什么问题,圈数和电感量还可以,内径大了点.
计算挺复杂的,而且各种条件互相影响,参数众多,一般也就是估算一下,具体的通过试验确定.
还有电容不能用你说的那样的,你的电容容量太大,电容和电感的选择有很大影响.
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