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哈哈哈哈哈士奇发表回复 8年6个月前
引用 虎哥:收到申请材料。关于申请材料，有如下一些问题及解决办法：1、科创基金不支持“打包申请”。把若干研究目标完全不同的项目放在一起申请是不行的。申请人的项目涉及合成及表征目标产物，优化改进工艺方法，设计、改进、修饰分子等三种不同的研究目标，且研究所针对的化合物也不相同，无法合并申请。请申请人按照一事一议的原则拆分本文，将五个项目分开申请，完成一项研究，再申请下一个。考虑到发表论文需要的时间较长...
kuang998发表回复 8年6个月前
请问各位大侠，600v直流数字电压表在哪里可以买到
虎哥发表回复 8年6个月前
收到申请材料。关于申请材料，有如下一些问题及解决办法：1、科创基金不支持“打包申请”。把若干研究目标完全不同的项目放在一起申请是不行的。申请人的项目涉及合成及表征目标产物，优化改进工艺方法，设计、改进、修饰分子等三种不同的研究目标，且研究所针对的化合物也不相同，无法合并申请。请申请人按照一事一议的原则拆分本文，将五个项目分开申请，完成一项研究，再申请下一个。考虑到发表论文需要的时间较长，科创基金A...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 3DA502:烧一堆管的钱足够PCB打样几次了这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子😂
iSee发表回复 8年6个月前
引用 3DA502: 上管可以使用可控硅做开启，下管IGBT只负责关断，这样优势互补，IGBT的高频特性不好如果“IGBT的高频特性不好”，那用IGBT做下管关断的拖尾时间还是不能减少吧？
獬豸发表回复 8年6个月前
看不了了，现在有别的教学视频吗
iSee发表回复 8年6个月前
主要是基于高加速应用来做同级别环比分析。但是我也说了，不排除也不肯定这样的算法对低加速是否有效，你有兴趣可以做一下试试😀。可以说300v以下或低加速的设计我从来没想过要去做，也没花时间精力去分析过，即使今后可能我也不会去考虑，后面如果要再做的话很可能是900v以上到1200v的高加速设计，对低加速方案的讨论实在是提不起兴趣，请见谅😂。
3DA502发表回复 8年6个月前
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:是，我没法就没关注也没关心过的事情表态，不然不就显得太不严谨了吗？😂额……所以说，你前面提到的“些微的效率下降就能换取加速度近平方比增加、速度近成倍增加或长度的近平方比缩短，这怎么看都是非常划算的”这个结论，是基于你“没关注也没关心过的事情”的理论得出的吗？……这样不太好吧……
HXKRRRR发表回复 8年6个月前
支持楼主。我也想要研究含能材料推进剂。新型能材的研究对国家的发展好处大大滴。
iSee发表回复 8年6个月前
随手记录的原始数据实在是太乱了，放在这里感觉很凌乱，所以撤了。😂
iSee发表回复 8年6个月前
引用 LED:楼主的数据太优雅了，非凡的结论需要非凡的证据，而且这种多通道准同步测量其实是很困难的，希望楼主公布测试方法和原始数据记录，最好有视频或者整个系统包括测试设备的全景照片。多级的调试是会比较困难，我是先根据单级模拟数据取最稳定上升的一段得出一个加速度值再放一些裕量取个相对可行的值作为设计指标，再根据级数、隔板距离、线圈长度计算出一个大概的断开IGBT的时间范围，取最小值作为基数，再利用线...
Madara发表回复 8年6个月前
学校那边你没找对人，你去找跟七二四有业务往来的老师去，能搭上个军代表说服他的话，你这些都不是事儿。
Vins发表回复 8年6个月前
想了几个能量回收电路，效果未知，参数也不好设计慢慢来吧~
LED发表回复 8年6个月前
楼主的数据太优雅了，非凡的结论需要非凡的证据，而且这种多通道准同步测量其实是很困难的，希望楼主公布测试方法和原始数据记录，最好有视频或者整个系统包括测试设备的全景照片。
QQQQQQQ发表回复 8年6个月前
我只对powervain的实验和学术水平没有任何质疑，最终决定权还是请KC学术委员会讨论决定。
iSee发表回复 8年6个月前
引用 rb-sama:引用 iSee:引用 rb-sama:比较奇怪一楼用 Quote：5级600v时的实测平均值：    v = 35/0.408 = 85.784m/s    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？这样计算效率的方式，存疑。-另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。为...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 rb-sama:引用 iSee:引用 rb-sama:比较奇怪一楼用 Quote：5级600v时的实测平均值：    v = 35/0.408 = 85.784m/s    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？这样计算效率的方式，存疑。-另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。为...
哈哈哈哈哈士奇发表文章 8年6个月前
申请A基金高能量密度化合物研发及和合成优化资金
个人简介：KC ID: Power_Vain姓名：李承举，男，1997年生，籍贯中华人民共和国辽宁省，目前就读于沈阳理工大学化学工程与工艺专业（大二），专业方向为新型含能材料。在2013年时初步接触到了含能材料的相关知识并着手进行实验（瞎搞），时任化学中二吧管理（百度ID：硝酸精，目前为常不在线状态）于2014年，开始接受KC版主QQQQQQQ的指导，并逐步转型新型含能材料理论及实验制备，并于20...
rb_sama发表回复 8年6个月前
引用 iSee:引用 rb-sama:比较奇怪一楼用 Quote：5级600v时的实测平均值：    v = 35/0.408 = 85.784m/s    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？这样计算效率的方式，存疑。-另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。为什么600V的管子楼主...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:引用 三水合番:引用 iSee:至于你说的“低加速度的作品有额外的加成”，我追求的是高速和高效还有较短的长度，所以如果有人拿一个为了避免磁饱和需要1米以上甚至于2米慢加速到秒速100的作品来和0.3米加速到秒速100的作品比，那本来就不是一个级别的东西了，用途也完全不同了，那这样加成后的效率再高我也不会羡慕的。😂所以，你也同意，顶楼理论算的归一化效率，不适合对不同...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 rb-sama:比较奇怪一楼用 Quote：5级600v时的实测平均值：    v = 35/0.408 = 85.784m/s    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？这样计算效率的方式，存疑。-另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。为什么600V的管子楼主用到660V，并...
Vins发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 Mr_:同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为，那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……那楼主的“效率”应该是要表示“接近梦想”的程度嘛，，，
rb_sama发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 Mr_:同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为，那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……实测数值与预期数值之间的比例，可以称为预期收益比。但是没有所谓“能量效率”的概念，效率（efficiency）即是能量，没争议。用词严谨点不是坏事
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 Mr_:同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为，那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:引用 三水合番:引用 iSee:至于你说的“低加速度的作品有额外的加成”，我追求的是高速和高效还有较短的长度，所以如果有人拿一个为了避免磁饱和需要1米以上甚至于2米慢加速到秒速100的作品来和0.3米加速到秒速100的作品比，那本来就不是一个级别的东西了，用途也完全不同了，那这样加成后的效率再高我也不会羡慕的。😂所以，你也同意，顶楼理论算的归一化效率，不适合对不同加速度的作品进行...
Vins发表回复 8年6个月前
同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:至于你说的“低加速度的作品有额外的加成”，我追求的是高速和高效还有较短的长度，所以如果有人拿一个为了避免磁饱和需要1米以上甚至于2米慢加速到秒速100的作品来和0.3米加速到秒速100的作品比，那本来就不是一个级别的东西了，用途也完全不同了，那这样加成后的效率再高我也不会羡慕的。😂所以，你也同意，顶楼理论算的归一化效率，不适合对不同加速度的作品进行比较喽？我没说过...
rb_sama发表回复 8年6个月前
比较奇怪一楼用 Quote：5级600v时的实测平均值：    v = 35/0.408 = 85.784m/s    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？这样计算效率的方式，存疑。-另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情...
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:至于你说的“低加速度的作品有额外的加成”，我追求的是高速和高效还有较短的长度，所以如果有人拿一个为了避免磁饱和需要1米以上甚至于2米慢加速到秒速100的作品来和0.3米加速到秒速100的作品比，那本来就不是一个级别的东西了，用途也完全不同了，那这样加成后的效率再高我也不会羡慕的。😂所以，你也同意，顶楼理论算的归一化效率，不适合对不同加速度的作品进行比较喽？
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:这里有两个概念，第一是同参数不同电压下的环比，第二是两个完全不同设计之间的横向比较。虽然这两个概念涉及的东西都有我觉得不对的地方……不过既然你只打算说第二个概念，就只谈它好了……关于你的第二个概念，我的意思是，因为顶楼的理论不考虑磁饱和的影响，所以根据那个理论算出来的“归一化效率”，对低加速度的作品有额外的加成。很容易出现高加速度作品无论做得多么完美，归一化效率都比...
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:“话说不同设计比较的时候比的是实际值和理论上限值的相对效率(即我说的“归一化效率”），而在理论上限值的计算中是不包含饱和磁导参数的，所以这个值好像也无关紧要了。”。说的就是“理论不包含饱和磁导参数”带来的问题……
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:这里有两个概念，第一是同参数不同电压下的环比，第二是两个完全不同设计之间的横向比较。虽然这两个概念涉及的东西都有我觉得不对的地方……不过既然你只打算说第二个概念，就只谈它好了……关于你的第二个概念，我的意思是，因为顶楼的理论不考虑磁饱和的影响，所以根据那个理论算出来的“归一化效率”，对低加速度的作品有额外的加成。很容易出现高加速度作品无论做得多么完美，归一化效率都比...
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:这里有两个概念，第一是同参数不同电压下的环比，第二是两个完全不同设计之间的横向比较。虽然这两个概念涉及的东西都有我觉得不对的地方……不过既然你只打算说第二个概念，就只谈它好了……关于你的第二个概念，我的意思是，因为顶楼的理论不考虑磁饱和的影响，所以根据那个理论算出来的“归一化效率”，对低加速度的作品有额外的加成。很容易出现高加速度作品无论做得多么完美，归一化效率都比不过低加速度作品...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:我用的是A3定位销，所以饱和磁导设置的是1.6T，初始位置-30，支架直径是8.6mm。另外文中我是说：“。。。相对效率只比300v时低了6.86%，影响非常小。”在结论中明确说明了这是相对效率，而且如果更准确的说的话那这是“600v和300v相比的环比相对效率”。我觉得这样的结果可以作为一种“归一化的效率”来用于比较，根据实际可测量的数据来设置上限公式的参数，好算...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:我用的是A3定位销，所以饱和磁导设置的是1.6T，初始位置-30，支架直径是8.6mm。另外文中我是说：“。。。相对效率只比300v时低了6.86%，影响非常小。”在结论中明确说明了这是相对效率，而且如果更准确的说的话那这是“600v和300v相比的环比相对效率”。我觉得这样的结果可以作为一种“归一化的效率”来用于比较，根据实际可测量的数据来设置上限公式的参数，好算...
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:我用的是A3定位销，所以饱和磁导设置的是1.6T，初始位置-30，支架直径是8.6mm。另外文中我是说：“。。。相对效率只比300v时低了6.86%，影响非常小。”在结论中明确说明了这是相对效率，而且如果更准确的说的话那这是“600v和300v相比的环比相对效率”。我觉得这样的结果可以作为一种“归一化的效率”来用于比较，根据实际可测量的数据来设置上限公式的参数，好算也好比。A3钢的...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:引用 iSee:些微的效率下降就能换取加速度近平方比增加、速度近成倍增加或长度的近平方比缩短，这怎么看都是非常划算的。这个说法颇具误导性……因为些微下降的是“相对效率”，而不是效率。效率下降的比例是很大的，只是因为按顶楼计算得到的“理论最优”也以相似的比例下降了，所以相对效率只有些微下降。引用 iSee:300v模拟最大值：    v = 20.71m/s另外，对楼主提到的这个模拟...
zx-48750发表回复 8年6个月前
季戊四醇外地出么
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 獬豸:我想做一个小的大概30厘米，可以用永磁体增强吗。这个规模会有什么问题额，我上面提到的“规模”主要指电流……和尺寸无关……对于在电流很强的情况下使用永磁体，会出现啥问题我也不清楚。我现在能想到的就是，因为常见的强磁，比如钕铁硼，导电性有点好。所以当电流较大，轨道产生的磁场较强的时候，在永磁体上会产生比较大的涡流损耗，至于这个损耗有多明显我就不清楚了。
三水合番发表回复 8年6个月前
引用 iSee:些微的效率下降就能换取加速度近平方比增加、速度近成倍增加或长度的近平方比缩短，这怎么看都是非常划算的。这个说法颇具误导性……因为些微下降的是“相对效率”，而不是效率。效率下降的比例是很大的，只是因为按顶楼计算得到的“理论最优”也以相似的比例下降了，所以相对效率只有些微下降。引用 iSee:300v模拟最大值：    v = 20.71m/s另外，对楼主提到的这个模拟最大值表示怀疑…...
iSee发表回复 8年6个月前
引用 kuang998:用不锈钢管可能对线圈的温度有所提高金属的管材散热肯定会比较好，同样的机械强度下厚度也会比较薄，更有利于线圈内部的散热。有涡流和磁屏蔽效应是短板，但因为厚度薄所以影响不太大，实在是不放心可以开孔或开口来进一步减少影响，综合考虑后还是值得用的。
獬豸发表回复 8年6个月前
引用 三水合番:永磁体在电流较小的时候（几百A到十几kA）效果显著讲道理，即使电流达到几十甚至上百kA，永磁体（钕铁硼）附加的磁感应强度也是相当可观的，不过没见过这个规模的轨道炮用永磁增强……电枢就是在电流的作用下产生加速力的部分，或者说是运动的导体。我想做一个小的大概30厘米，可以用永磁体增强吗。这个规模会有什么问题
kuang998发表回复 8年6个月前
绕线圈还有多学习
kuang998发表回复 8年6个月前
用不锈钢管可能对线圈的温度有所提高
kuang998发表回复 8年6个月前
光电有一个反应速度，选择位置是关键的一步，所以才能达到更好的加速作用，电路方面就容易处理了
kuang998发表回复 8年6个月前
要考虑磁饱和